«Контрольная работа по дисц. Электроника 1» - Контрольная работа

Содержание

Введение…. 6

1 Краткая история возникновения и развития электроники…. 7

2 Вакуумная электроника…. 14

3 Плазменная электроника….…. 18

4 Полупроводниковая электроника.… 21

4.1 Электронно-дырочный переход…. 21

4.2 Переход металл-полупроводник… 25

4.3 Гетеропереход…. 28

5 Функциональная электроника….…. 31

Заключение…. 35

Список использованных источников…. 36

Введение

ЗАДАНИЕ

Тема 1: Краткая история возникновения и развития электроники.

Задание: Привести краткую историю пути человечества к современному пониманию окружающего нас мира, начиная с первых понятий, заканчивая Стандартной моделью устройства материи. Привести области распространения электроники в современном мире.

Тема 2: Вакуумная электроника.

Задание: Привести схему усилителя звуковой частоты, выполненную на вакуумном триоде с подробным описанием её работы (назначение компонентов схемы, последовательность распространения сигнала, временные диаграммы, напряжения, токи, частоты и т.д.).

Тема 3: Плазменная электроника.

Задание: Привести схему включения плазменного прибора по варианту (табл. 1) с подробным описанием её работы (назначение компонентов схемы, последовательность распространения сигнала, временные диаграммы, напряжения, токи, частоты и т.д.).

Вариант задаётся индивидуальным шифром. Порядок цифр справа налево, например: 54321 (1 – младшая цифра, 2 – номер десяток, 3 – номер сотен и т.д.). Шифр - 10312

Таблица 1

Вариант (младшая цифра инд. шифра, 1) Прибор Схема

2 ИФК-120 Стробоскопа.

Тема 4: Полупроводниковая электроника.

Задание: Сделать описание принципа работы основных видов электрических переходов с примерами использования в функциональной электронике.

Тема 5: Функциональная электроника.

Задание: Произвести расчёт усилителя класса А на биполярном транзисторе графическим методом по заданному варианту. Исходные данные задаются путём подстановки значений напряжений и токов (шаг значений равномерный) в рисунок 1, выбранных по таблице 2.

Рисунок 1 – Семейство входных (а) и выходных (б) характеристик биполярного транзистора

Таблица 2

Вариант Выбирается по младшей цифре 1 инд. шифра

2

Iб1,(мкА) 200

Iк1,(мА) 10

Вариант Выбирается по цифре 2 инд. шифра

1

Uэк1,(В) 2,5

В контрольной работе приведена краткая история возникновения и развития электроники, начиная с первых понятий, заканчивая Стандартной моделью устройства материи. Приведены области распространения электроники в современном мире.

Приведена схема усилителя звуковой частоты, выполненная на вакуумном триоде, и описание ее работы.

Рассмотрена схема плазменного прибора: стробоскопа на ИФК-120.

Приведено описание принципа работы основных видов электрических переходов с примерами использования в функциональной электронике.

Произведен расчёт усилителя класса А на биполярном транзисторе графическим методом по заданному варианту.

Выдержка из текста работы

Такое расположение уровня Ферми относительно потолка валентной зоны характеризует электропроводность p-типа. Следовательно, в полупроводнике n-типа образовался слой с электропроводностью p-типа, причем электропроводность одного типа плавно переходит в электропроводность другого. Это объясняется тем, что электронов в зоне проводимости полупроводника недостаточно для получения равновесной системы (выравнивания уровней Ферми). Часть их из валентной зоны переходит в металл, в результате чего и появляются дырки.

Заключение

В контрольной работе приведена краткая история возникновения и развития электроники. Приведены области распространения электроники в современном мире.

Приведена схема усилителя звуковой частоты, выполненная на вакуумном триоде, и описание ее работы.

Рассмотрена схема стробоскопа на ИФК-120.

Приведено описание принципа работы основных видов электрических переходов с примерами использования в функциональной электронике.

Произведен расчёт усилителя класса А на биполярном транзисторе графическим методом по заданному варианту. На входных и выходных характеристиках определено положение рабочей точки покоя и соответствующие ей значения токов и напряжений, рассчитаны значения сопротивлений резисторов и емкостей конденсаторов, входящих в схему. Произведен расчет параметров усилительного транзисторного каскада: входного и выходного сопротивления. Определены коэффициенты усиления по току KI=19, напряжению KU=35 и мощности KP=665. Электрический КПД усилительного каскада э=11,7%.

Список литературы

1 Сушков, С. А. Электроника [Электронный ресурс]: лекции в презентациях / С. А. Сушков. Омск: ОмГУПС, 2012.

2 Сушков, А. Д. Вакуумная электроника: Физико-технические основы: Учебное пособие / А. Д. Сушков. СПб.: Издательство «Лань», 2004. 464 с.

3 h**t://w*w.radiosait.r*/page_214.html

4 h**t://forum.cxem.net/index.php?showtopic=97836

5 Гусев, В. Г. Электроника / В. Г. Гусев, Ю. М. Гусев. М.: Высшая школа, 1991. 622 с.

6 Пасынков, В. В. Полупроводниковые приборы / В. В. Пасынков, Л. К. Чуркин. СПб: Лань, 2001. 479 с.

7 Лачин, В. И. Электроника / В. И. Лачин, Н. С. Савелов. Ростов-на-Дону: Феникс, 2007. 703 с.

8 Щука, А. А. Электроника. Учебное пособие / А. А. Щука. СПб.: БХВ-Петербург, 2005. 800 с.

9 Методические указания к самостоятельным занятиям по курсу электроники / В. В. Харламов, Р. В. Сергеев, П. К. Шкодун. Омск: Омский гос. ун-т путей сообщения, 2004. 44 с.