«Ответы на 3 вопроса» - Контрольная работа

Содержание

1) Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.

2) Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3) Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с

встроенным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

---

Выдержка из текста работы

Ответ на вопрос 3:

В усилительных каскадах МДП-транзисторы всегда работают на пологих участках характеристик, где крутизна и коэффициент усиления транзистора имеют максимальные значения.

Рис. 2 Усилительные каскады на МДП-транзисторах с резистивной нагрузкой

Выходная ВАХ:

Передаточная ВАХ:

Y-параметры

Выражения для полных дифференциалов токов стока и затвора можно представить в виде:

В этих выражениях частные производные, определяющие приращения токов при изменении соответствующих напряжений, можно рассматривать как дифференциальные параметры транзистора, имеющие размерность проводимости.

---