СтудСфера.Ру - помогаем студентам в учёбе

У нас можно недорого заказать курсовую, контрольную, реферат или диплом

Автофотоэлектронная эмиссия полупроводниковых многоэмиттерных катодов - Дипломная работа №17941

«Автофотоэлектронная эмиссия полупроводниковых многоэмиттерных катодов» - Дипломная работа

  • 45 страниц(ы)

Содержание

Введение

Выдержка из текста работы

Заключение

фото автора

Автор: navip

Содержание

Введение.

Глава 1. Автофотоэлектронные катоды и их эмиссионные свойства.

1.1. Многоэмиттерные автоэлектронные катоды

1.1.1. Полевая фотоэлектронная эмиссия из полупроводниковых многоэмиттерных катодов.

1.1.2. Исследование стабильности тока полевой эмиссии полупроводниковых катодов.

1.2. Темновой ток фотокатода.

1.3. Эмиссионные свойства многоэмиттерных автокатодов

1.4. ВАХ полупроводниковых фотокатодов.

1.5. Люкс-амперные характеристики фотокатодов.

1.6. Оптические свойства.

1.6.1. Основные оптические постоянные.

1.6.2. Собственное поглощение.

1.6.3. Примесное поглощение.

Глава 2. Фотоприемники на основе арсенида галлия.

2.1. Автофотоэлектронная эмиссия.

2.2. Фотокинетические характеристики многоострийных автокатодов.

2.3. Исследование эмиссионных характеристик многоэмиттерных автоэлектронных катодов.

2.4. Эмиссионные характеристики автокатодов.

2.5. Технология изготовления катодов.

2.6. Изготовление многоострийных структур.

2.7. Изготовление и оптимизация фотокатодов с отрицательным электронным сродством.

Заключение


Введение

В последние годы наблюдается возрастающий интерес к вакуумной микроэлектронике, связанный с интенсивным развитием и применением новых технологических процессов, позволивших создать на их основе твердотельные структуры микронных и субмикронных размеров и тем самым реализовать многие потенциальные преимущества автоэлектронных катодов как эффективных источников электронов.

Одной из актуальных проблем современной физической электроники является создание эффективных источников электронов большой площади на основе автоэлектронной эмиссии. Автокатоды, обладающие рядом преимуществ перед другими типами катодов, перспективны в таких разделах как вакуумная электроника, электроника СВЧ и др. При этом, для создания приборов электронной техники практический интерес представляют электронные автокатоды, выполненные в виде матрицы достаточно большой площади с высокой плотностью расположения острий – многоэмиттерные катоды.

Основными требованиями, определяющими возможность практического использования многоэмиттерных автокатодов, являются достижение высокой степени однородности эмиссии по поверхности катода и ее стабильность.

К настоящему времени в результате многолетних исследований в нашей стране появились первые образцы приборов на базе таких катодов, отличающихся от своих твердотельных аналогов более высокими эксплуатационными параметрами. К сожалению, наблюдаемая во многих случаях эмиссионная неоднородность многоэмиттерных автокатодов все еще препятствует широкому использованию их на практике.

В целом, задача создания многоэмиттерного автокатода может быть решена выбором оптимальной конфигурации элементов матричной системы, позволяющей повысить плотность упаковки эмиттеров при достижении стабильной однородности эмиссии и сохранении относительно высокого коэффициента усиления поля. Поэтому поиск путей повышения стабильности и однородности эмиссии многоэмиттерных автокатодов, а также расширение набора материалов, применяемых для их изготовления является актуальной задачей как в научном, так и в прикладном значении.


Выдержка из текста работы

Глава 1. Автофотоэлектронные катоды и их эмиссионные свойства.

Многоэмиттерные автофотоэлектронные катоды.

Полупроводниковые автоэлектронные катоды, в частности кремниевые, обладают фоточувствительностью. Интерес к этим автофотокатодам резко возрос с появлением возможности создания их в виде эмитирующей матрицы большой площади. Матрицы могут быть использованы в качестве фотодетекторов в технических приборах разного назначения. Однако широкому практическому использованию таких фотокатодов препятствует в основном две причины: неравномерность эмиссии по поверхности и большая величина темновых токов, что в известной степени является следствием неразработанности самого метода изготовления многоострийных мозаик и результатом недостаточной изученности фоточувствительности структур.

Основным препятствием создания многоострийных автофотокатодов на пути к их широкому применению было неравномерное распределение эмиссионных центров по поверхности катода. При этом геометрическая однородность матрицы острий во многом предопределяла получение эмиссионной однородности. Однако и на структурах с высокой степенью геометрической однородности при исследовании их эмиссионных характеристик часто обнаружилось появление неконтролируемых эмиссионных центров, не связанных с полученной структурой. Поэтому выяснение природы таких центров эмиссии и путей их устранения необходимо для создания автофотокатодов со стабильной однородной эмиссией и высокой квантовой эффективностью.

Существует несколько технологических подходов для создания многоострийных автофотокатодов. Лучшие результаты получены с помощью фотолитографического метода травления и метода направленного выращивания нитевидных кристаллов из пара. Фотолитографический метод травления позволяет изготовить острийные структуры из монокристаллической пластинки, однако возможности этого метода ограничены из-за трудностей создания малых радиусов закругления и чувствительности его к неоднородностям структуры и состава исходной пластинки. В методе направленной кристаллизации из пара через слой жидкой фазы можно в широких пределах изменять размеры, радиус закругления и густоту острий, однако степенью чистоты материала здесь управлять гораздо труднее, чем в методе травления.

1.1.1. Полевая фотоэлектронная эмиссия из полупроводниковых многоэмиттерных катодов.

На протяжении всей истории создания многоэмиттерных автофотокатодов основным препятствием на пути к их широкому применению было неравномерное распределение эмиссионных центров по поверхности катода. При этом геометрическая однородность матрицы острий во многом предопределяла получение эмиссионной однородности. Однако и на структурах с высокой степенью геометрической однородности при исследовании их эмиссионных характеристик часто обнаруживалось появление неконтролируемых эмиссионных центров, не связанных с полученной структурой. Поэтому выяснение природы таких центров эмиссии и путей их устранения необходимо для создания автофотокатодов со стабильной однородной эмиссией и высокой квантовой эффективностью.

Одним из перспективных способов изготовления многоэмиттерных авто-фотокатодов является метод фотолитографии с последующим химическим травлением. Была предложена процедура оптимизации этого способа с применением современных достижений микроэлектронной технологии, что позволило создавать матрицы полупроводниковых острий заданной высоты (5—30 мкм) и конфигурации с плотностью расположения острий свыше 7,5-105 см-2. Для отработки и отбора отдельных технологических операций, включающих магнетронное напыление защитных пленок, ионную очистку высокочастотным разрядом и ионно-плазменное травление, исследовался характер изменения топологии поверхности полупроводника и определялась концентрация и химический состав посторонних примесных включений на его поверхности и в приповерхностной области. Использовались монокристаллические пластины из Gе, Si, GаАg с ориентацией <111>, площадью 2—3 см2, толщиной 0,3—0,8 мм и различным удельным сопротивлением.

С целью определения природы примесных включений необходимо было, во-первых, установить химический состав загрязнений и выявить, являются ли они привнесенными извне; во-вторых, выяснить влияние этих включений на качество изготавливаемых структур, после чего исследовать возможность удаления этих примесей. Микрогеометрия поверхности образцов исследовалась на оптическом (Nеорhоt) и растровых (РЭМ-100 и JSМ-35) микроскопах. Элементный состав анализировался на электронном оже-спектрометре 09ИОС-10-004. Послойный анализ химического состава приповерхностной области образцов проводился на оже-спектрометре LАЗ-2000 фирмы «Ribег», а также с помощью вторично-ионного масс-анализатора «Полюс-4». Исследовались исходные образцы и образцы после различных технологических операций.

В оже-спектре исходной пластины германия наблюдаются пики углерода (с энергией 272 эВ), азота (385 эВ) и серы (152 эВ). В результате предварительной химической очистки германиевых подложек в перекисно-аммиачном растворе интенсивность пиков углерода и серы существенно уменьшается (хотя полностью и не исчезает). Кроме того, было установлено, что наибольшие загрязнения поверхности при использовании фотолитографического метода с последующим жидкохимическим травлением вносит операция снятия фоторезиста в моноэтаноламине. В соответствующих оже-спектрах присутствуют пик кислорода (512 эВ), высокоинтенсивный пик углерода (272 эВ), а также примеси азота и фтора. Поэтому снятие защитной пленки проводилось с использованием ионной очистки высокочастотным разрядом в аргоне, что позволило исключить операцию удаления «отработанного» фоторезиста кипячением в моноэтаноламине. В оже-спектре подложки, прошедшей такую высокочастотную обработку, наблюдается значительное снижение содержания примесей на ее поверхности.Оже-спектры поверхности германиевой пластины, полученные после ионно-плазменного травления в аргоне в течение 1ч (при этом поверхностный слой толщиной в несколько мкм, что соответствует высоте формируемых фотолитографическим методом микроструктур при изготовлении катодов), отчетливо демонстрируют уменьшение интенсивности пика углерода (т. е. количества углерода на поверхности полупроводника).При проведении послойного анализа химического состава пластина полупроводника стравливалась на несколько десятков ангстрем в течение 2—5 мин. По зависимостям интенсивности оже-пиков (соответствующих электронным переходам в кислороде, углероде и германии) от времени распыления строились кривые распределения концентрации элементов по толщине пластины.

На рис. 1, а представлены данные по распределению элементов по глубине в германиевой пластине после ионно-плазменной обработки и оже-спектр ее поверхности (рис. 1, б). Сравниваются по интенсивности пики Gе (1110 эВ), С (272 эВ) и О (490 эВ). Из приведенных результатов видно, что как на поверхности, так и в объеме полупроводника наблюдаются скопления углерода и кислорода. Выходы примесных скоплений на поверхность полупроводника создают на ней потенциальный рельеф, обусловливающий пятнистый характер эмиссии германия. Как показали дальнейшие исследования, в состав этих примесей в большом количестве входят также атомы щелочных металлов, причем большинство примесей имеют собственное объемное происхождение. Типичный состав примесей на германиевом катоде, вносимых при обработке, это С, S, F, N. Количество вносимых примесей можно было уменьшить при соответствующем выборе технологических способов и режимов проведения операций. Далее проводился сравнительный анализ эмиссионных и эксплуатационных свойств многоэмиттерных катодов, полученных фотолитографическим методом с последующим либо химическим, либо ионно-плазменным травлением с целью выявления закономерностей между содержанием примесей на поверхности и появлением неконтролируемых эмиссионных центров. Эмиссионные свойства изучались в статическом режиме на металлических безмасляных установках с непрерывной откачкой и в стеклянных отпаянных приборах. Измерительная ячейка помимо катода содержала близко расположенный (100—400 мкм) анод-экран, позволяющий наблюдать распределение эмиссии по всей площади катода. Предварительная ионная обработка поверхности катодов приводила к более равномерному включению в работу острий, однако даже при этих условиях можно было наблюдать исчезновение или рождение отдельных неконтролируемых эмиссионных центров, которое проявлялось в возникновении ряда неустойчивых ярких точек на фоне менее ярко светящейся области. Вольт-амперные характеристики (ВАХ) эмиссионного тока снимались в темноте при охлаждении жидким азотом, а также при комнатной температуре (рис. 2).

Выяснилось, что темновой ток германиевых автокатодов меняется в зависимости от их удельного сопротивления, а также от предварительной обработки поверхности подложек. При комнатной температуре все катоды показывали достаточно высокие темновые токи от 10-8 до 510-5 А. При охлаждении жидким азотом уровень темнового тока понижался и составлял, например, для катода из материала ГДГ-3,0 (1—2)•10-11 А при ионной обработке и 8•10-10 А без такой обработки. Резкое увеличение темнового тока наблюдалось и с увеличением концентрации примесных включений на поверхности полупроводника (до 10-4 А). Рост темнового тока

Рис. 1. а — Распределение концентрации элементов по глубине в приповерхностном слое германиевой пластины после ионно-плазмениого травления, б — оже-спектр ее поверхности, t — время распыления, / — интенсивность оже-линии

Рис. 2. а - ВАХ полного эмиссионного тока многоострийных катодов после ионно-плазменной обработки, снятые при Т =300 К: 1 - Ge (ГДГ-40), 2 - Si (КДБ-40), 3 - СаАg (АГДЦ-3); б, в — соответствующие кривые энергетического распределения автоэлектронов

происходил также при длительной эксплуатации катода при постоянном напряжении и комнатной температуре. ВАХ полного тока со всей эмитирующей площади катода для образцов р-типа имели характерную нелинейную форму (рис.2).

Аналогичные ВАХ были получены и для локальных (диаметром до 100 А) участков поверхности катода при проведении энергетического анализа электронов. С этой целью матрица острий помещалась в рабочую камеру универсальной сверхвысоковакуумной установки УСУ-4, внутри которой располагался энергоанализатор автоэлектронов. Измерение энергетического распределения автоэлектронов производилось для эмитирующей области, лежащей на электронно-оптической оси энергоанализатора при двух режимах работы катода: начала участка насыщения (рис. 2, б) и переходного к области размножения носителей тока участка ВАХ. (рис. 2, в). Как видно из приведенных результатов, кривые энергетического распределения имеют один максимум, а полная ширина энергетического распределения на полувысоте возрастает от 0,6 эВ (рис. 2, б) до 2,2 эВ (рис. 2, в) с увеличением полного эмиссионного тока от 10-7 до 3-10-5 А.

На Gе-катоде (ГДГ-0,2) при отборе больших (порядка сотен мкА) токов наблюдалось появление эмиссионных центров вне острийной структуры, просмотр которых с помощью сканирующего электронного микроскопа позволил обнаружить возникновение новообразований — «капель» (островков) диаметром от 50 до 300 мкм, имеющих вид кратеров. Был проведен оже-анализ трех характерных областей: «капли», регулярной (острийной) структуры и участка поверхности без структуры (т. е. вне катода), на котором не наблюдались подобные центры эмиссии. Оже-анализ «капель» показал повышенное содержание в них калия, а также присутствие пиков С, N, О и отсутствие калия на соседних участках, что свидетельствует о пятнистом характере распределения примеси. Вследствие низкой чувствительности оже-метода к Nа его присутствие было обнаружено с помощью вторично-ионной масс-спектроскопии. Наибольшие скопления примесей щелочных металлов, приводящие к локальным понижениям работы выхода, наблюдались на субмикронных дефектах Gе-пластины. В таком случае изменениенапряженности электрического поля должно приводить к изменению диффузии атомов щелочного металла к поверхности эмиттера из его объема. С этим обстоятельством может быть связана повторяемость картин появления неконтролируемых центров при разных анодных напряжениях.Для выбора оптимальных технологических режимов и анализа стабильности работы многоострийных катодов были исследованы спектры токовых флуктуаций в области низких частот.

Рис. 3. Спектры флуктуаций тока флуктуаций в области низких частот полевой эмиссии из полупроводниковых многоострийных катодов, снятые при Т = 300 К на участке Фаулера-Нордгейма вольт-амперной характеристики при эмиссионном токе I = 7,5•10-6 А: 1-Ge (ГДГ-40), 2-Si (КДБ-40), 3-GaAg (АГДЦ-3)

Жидкохимическое травление при формировании структур дает гораздо больший разброс в радиусах острий, чем ионно-плазменное, и ведет к большей геометрической неоднородности, что проявляется в существенном возрастании уровня шума. Предварительная ионная очистка поверхности пластин высокочастотным разрядом приводила к снижению уровня шума. Проведенные измерения показали, что основной компонентой флуктуаций тока полевой эмиссии на участке Фаулера-Нордгейма вольт-амперной характеристики является 1/f шум (рис. 3), а графики зависимости спектральной плотности мощности шума от частоты S(f) для катодов из Gе, Si, GаАg (кривые 1, 2, 3) хорошо аппроксимируются зависимостью вида 1/fά, что позволяет использовать для описания флуктуаций статистическую модель, связывающую мощность шума со средним числом эмитирующих центров. Появление неконтролируемых центров эмиссии приводит к осцилляциям эмиссионного тока и качественному изменению вида спектра флуктуаций.

На участке насыщения ВАХ, где ток эмиссии определяется в основном скоростью генерации неосновных носителей, уровень шума практически падает до дробового, а зависимость S(f) приобретает вид, близкий к спектру Лоренца. Последнее обстоятельство очень важно при практическом использовании полупроводниковых многоострпйных автофотокатодов в качестве пороговых фотоприемников.


Заключение

В данной работе рассмотрены многоэмиттерные автокатоды из арсенида галлия и их эмиссионные характеристики. Основное внимание было уделено проблемам повышения эффективности катодов, таких как оптимизация геометрических параметров катодов и расчет напряженности электрического поля многоэмиттерных автокатодов.


Тема: «Автофотоэлектронная эмиссия полупроводниковых многоэмиттерных катодов»
Раздел: Физика
Тип: Дипломная работа
Страниц: 45
Цена: 1300 руб.
Нужна похожая работа?
Закажите авторскую работу по вашему заданию.
  • Цены ниже рыночных
  • Удобный личный кабинет
  • Необходимый уровень антиплагиата
  • Прямое общение с исполнителем вашей работы
  • Бесплатные доработки и консультации
  • Минимальные сроки выполнения

Мы уже помогли 24535 студентам

Средний балл наших работ

  • 4.89 из 5
Узнайте стоимость
написания вашей работы
Похожие материалы
  • Курсовая работа:

    Денежная эмиссия, как элемент денежной системы, ее виды, сущность

    34 страниц(ы) 

    ВВЕДЕНИЕ….3
    ГЛАВА 1. ПОНЯТИЕ, ФУНКЦИИ И ЭЛЕМЕНТЫ ДЕНЕЖНОЙ СИСТЕМЫ
    1.1 Сущность денежной эмиссии….5
    1.2 Свойства, функции и элементы денежной эмиссии….9
    1.3 Оптимальность денежной эмиссии….11
    ГЛАВА 2. ДЕНЕЖНАЯ ЭМИССИЯ, КАК ЭЛЕМЕНТ ДЕНЕЖНОЙ СИСТЕМЫ….14
    2.1 Виды и типы денежной эмиссии.…14
    2.2 Механизм проведения денежной эмиссии….18
    2.3 Перспективы развития денежной эмиссии в Российской Федерации….22
    ЗАКЛЮЧЕНИЕ….28
    СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ….31
  • Контрольная работа:

    Эмиссия ценных бумаг

    16 страниц(ы) 

    ВВЕДЕНИЕ 2
    1. ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ 3
    2. ПРОЦЕДУРА ЭМИССИИ ЭМИССИОННЫХ ЦЕННЫХ БУМАГ 7
    3. РЕШЕНИЕ О ВЫПУСКЕ ЭМИССИОННЫХ ЦЕННЫХ БУМАГ 8
    4. РЕГИСТРАЦИЯ ВЫПУСКА ЭМИССИОННЫХ ЦЕННЫХ БУМАГ 9
    5. ПРОСПЕКТ ЭМИССИИ 10
    6. НЕДОБРОСОВЕСТНАЯ ЭМИССИЯ 13
    ЗАКЛЮЧЕНИЕ 15
    СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 16
  • Курсовая работа:

    Меры, направленные на недопущение недобросовестной эмиссии ценных бумаг и предотвращение ее негативных последствий в законодательстве РФ

    28 страниц(ы) 

    Введение…3
    1. Отказ в регистрации выпуска и проспекта ценных бумаг…5
    1.1. Причины отказа в регистрации выпуска и проспекта ценных бумаг…5
    1.2. Некоторые проблемы признания недействительным решения регистрирующего органа, связанного с эмиссией ценных бумаг, как способа защиты прав акционеров и кредиторов…10
    2. Приостановление эмиссии ценных бумаг.
    Признание выпуска (дополнительного выпуска)
    эмиссионных ценных бумаг несостоявшимся
    или недействительным…15
    2.1. Приостановление эмиссии…15
    2.2. Признание выпуска эмиссионных ценных
    бумаг несостоявшимся…18
    2.3. Признание выпуска эмиссионных ценных
    бумаг недействительным…21
    Заключение…25
    Список использованных источников и литературы…27
  • Курсовая работа:

    Эмиссионная деятельность

    33 страниц(ы) 

    Введение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
    1. Теоретические аспекты эмиссионной деятельности
    Центрального банка:
    1.1. Эмиссия: понятие, сущность, принципы,
    наличная и безналичная эмиссия . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
    1.2. Механизм выпуска денег в обращение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
    1.3. Показатели, характеризующие эффективность
    эмиссионной деятельности центрального банка . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
    2. Анализ эмиссионной деятельности Центрального банка
    Российской Федерации:
    2.1. Показатели, характеризующие эффективность
    эмиссионной деятельности центрального банка . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
    2.2. Влияние эмиссии на динамику денежного агрегата М2 . . . . . . . . 16
    2.3. Влияние эмиссии на структуру наличной денежной массы . . . . . 18
    3. Проблемы и перспективы эмиссионной деятельности
    Центрального банка:
    3.1. Проблемы, связанные с эмиссионной деятельностью
    центрального банка . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
    3.2. Перспективы эмиссионной деятельности центрального банка . . 25
    Заключение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
    Литература . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
  • Контрольная работа:

    Эмиссия ценных бумаг: понятие и содержание процедуры

    8 страниц(ы) 

    Контрольная работа
    по Предпринимательскому праву
    тема: "Эмиссия ценных бумаг: понятие и содержание процедуры"
  • Курсовая работа:

    Эмиссия ценных бумаг

    17 страниц(ы) 

    Введение
    1. Основные положения об эмиссионных ценных бумагах
    1.1.Процедура эмиссии ценных бумаг
    2.Особенности обращения ценных бумаг акционерных обществ
    2.1.Эмиссия дополнительных акций акционерных обществ, размещаемых путем распределения среди акционеров
    2.2.Эмиссия ценных бумаг, размещаемых путем подписей
    2.3.Эмиссия ценных бумаг, размещаемых путем конвертации в них конвертируемых ценных бумаг
    Заключение

Не нашли, что искали?

Воспользуйтесь поиском по базе из более чем 40000 работ

Наши услуги
Дипломная на заказ

Дипломная работа

от 8000 руб.

срок: от 6 дней

Курсовая на заказ

Курсовая работа

от 1500 руб.

срок: от 3 дней

Отчет по практике на заказ

Отчет по практике

от 1500 руб.

срок: от 2 дней

Контрольная работа на заказ

Контрольная работа

от 100 руб.

срок: от 1 дня

Реферат на заказ

Реферат

от 700 руб.

срок: от 1 дня

Другие работы автора
  • Дипломная работа:

    Изучение свойств штамма гриба рода trichoderma, как компонента биотехнологических препаратов

    66 страниц(ы) 

    ВВЕДЕНИЕ 5
    ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ 8
    1.1. Пестициды 8
    1.1.1 Химического происхождения 8
    1.1.2 Биологического происхождения 9
    1.2. Болезни зерновых культур, вызываемые фитопатогенными микроорганизмами 12
    1.3. Болезни зерновых культур, вызываемые грибами 14
    1.3.1 Головня 14
    1.3.2 Мучнистая роса 16
    1.3.3 Корневые гнили 17
    1.3.4 Выпревание злаков 20
    1.4. Характеристика гриба рода Trichoderma 23
    1.4.1 Виды грибов 24
    1.4.2 Влияние грибов рода Trichoderma в борьбе с патогенами 25
    1.4.3 Механизм действия штамма гриба рода Trichoderma на рост и развитие растений 27
    Заключение 27
    ГЛАВА 2. МАТЕРИАЛЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ 25
    2.1. Материал исследования 30
    2.1.1 Общая морфологическая характеристика гриба рода Trichoderma 30
    2.2. Методы исследования 32
    2.2.1 Выделение и определение состава почвенных грибов 32
    2.2.1.1. Метод почвенного разведения 33
    2.2.2 Описание культуральных и морфологических признаков почвенных
    грибов и их идентификация 33
    2.2.2.1. Качественный состав микроорганизмов 33
    2.2.3 Метод выделения чистых культур 33
    2.2.3.1. Метод Дригальского 33
    2.2.3.2. Метод истончающего штриха 33
    2.2.4 Метод посева микроорганизмов на пробирки 35
    2.2.5 Приготовление питательных сред 36
    2.2.5.1. Приготовление картофельно-агаризованной среды 36
    2.2.5.2. Приготовление среды Чапека 37
    2.2.5.3. Приготовление полусинтетической среды 38
    2.2.6 Цитологические методы 38
    2.2.6.1. Приготовление фиксированных препаратов 38
    2.2.6.2. Метод окрашивания мазков по Грамму 38
    2.2.7 Стерилизация материалов и инструментов 40
    2.2.8 Определение целлюлозолитической активности 40
    2.2.9 Метод определения антагонистической активности с помощью лунок в толще агара 40
    2.2.10 Определение биологической эффективности 41
    2.2.10.1. Подготовка материалов для проведения фитоэкспертизы 41
    2.2.10.2. Фитоэкспертиза методом рулонов 41
    2.2.10.3. Обработка результатов фитоэкспертизы 43
    ГЛАВА 3. РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ 46
    3.1. Исследование почвы прикорневой зоны пшеницы 46
    3.2. Выделение чистой культуры микромицета Trichoderma 49
    3.3. Целлюлозолитическая активность микромицета 50
    3.4. Оценка антагонистической активности гриба рода Trichoderma 52
    3.5. Результаты фитоэкспертизы семян пшеницы 55
    ГЛАВА 4. МЕТОДИЧЕСКИЕ РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ПРИМЕНЕНИЮ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОГО МАТЕРИАЛА ВЫПУСКНОЙ
    КВАЛИФИКАЦИОННОЙ РАБОТЫ В ШКОЛЬНОМ КУРСЕ
    БИОЛОГИИ 58
    4.1. Роль биологического образования в школе 58
    4.2. Анализ тематического планирования по разделам учебников биологии 61
    4.3. Разработка урока на тему «Видоизмененные побеги», 6 класс 61
    4.4. Использование логико-смысловой модели в процессе биологического образования 68
    ВЫВОДЫ 70
    СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 71
    ПРИЛОЖЕНИЯ 77
  • Дипломная работа:

    Особенности ритма и строфы в русской поэзии для детей

    55 страниц(ы) 

    ВВЕДЕНИЕ….
    ГЛАВА1.ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИЗУЧЕНИЯ РУССКОЙ ПОЭЗИИ ДЛЯ ДЕТЕЙ, ОСОБЕННОСТЕЙ РИТМА И СТРОФЫ .
    1.1История возникновения и развития детской поэзии; детские поэты
    1.2 Детская поэзия как основной вид литературы ; ее специфика…
    1.1 Ритм, рифма и строфа в русской поэзии для детей…
    Вывод по первой главе….
    ГЛАВА 2.
    2.1. Методы и приемы работы с поэтическим текстом на уроках литературного чтения с элементами развития поэтических способностей обучающихся…
    2.2.Экспериментальная работа по развитию поэтических способностей обучающихся на уроках литературного чтения…
    2.3 Результаты экспериментальной работы….
    Вывод по второй главе….
    ЗАКЛЮЧЕНИЕ….
  • Реферат:

    Контроллинг

    18 страниц(ы) 

    Контроллинг в России 3
    Контроллинг в США 10
    Список использованной литературы 18
  • Дипломная работа:

    Художестволы тексты тӘржемӘлӘҮ ҮҘенсӘлектӘре ҺӘм уларҘы уҠыу процессында Ҡулланыу

    78 страниц(ы) 

    Инеш.6
    I БҮЛЕК. ТЕЛ ШӘХЕСЕ ҺӘМ УНЫҢ ЛИНГВОКУЛЬТУРОЛОГИЯЛА УРЫНЫ….….7
    1.1. Лингвокультурологияның өйрәнелеү тарихы.14
    1.2. Тел шәхесе төшөнсәһе һәм өйрәнелеү тарихы.22
    II БҮЛЕК. “ТУҒАНДАР ҺӘМ ТАНЫШТАР” РОМАНЫНДА ТЕЛ ШӘХЕСЕ БУЛАРАҠ ЖӘЛИЛ КЕЙЕКБАЕВ….23
    2.1. Жәлил Кейекбаевтың “Туғандар һәм таныштар” романында тел шәхесе булараҡ анализлауҙа лексик-грамматик саралар…23
    2.1.1. Лексик саралар….33
    2.1.2. Морфологик саралар….…36
    2.1.3. Синтаксик саралар….38
    2.2. Тел шәхесе булараҡ Ж.Ғ. Кейекбаевтың “Туғандар һәм таныштар” романында лингвокогнетив тел картинаһы….….42
    III БҮЛЕК. БАШҠОРТ ТЕЛЕ ДӘРЕСТӘРЕН ЛИНГВОКУЛЬТУРОЛОГИК ЙҮНӘЛЕШТӘ УҠЫТЫУ ҮҘЕНСӘЛЕКТӘРЕ….43
    3.1. Лингвокультурологияның уҡытыу процесында ҡулланылыуы…49
    3.2 Башҡорт теле дәрестәрендә Ж. Кейекбаевты тел шәхесе булараҡ өйрәнеү ….63
    ЙОМҒАҠЛАУ .66
    ҠУЛЛАНЫЛҒАН ӘҘӘБИӘТ ИСЕМЛЕГЕ.73
  • Реферат:

    Дәүләкән районы Ҡыҙрас ауылының тапонимдары

    25 страниц(ы) 

    Инеш.
    1.1.Дәүләкән топонимдарының барлыҡҡа килеүе.
    1.2. Ҡыҙрас ауылының килеп сығышы.
    1.3.Ҡыҙрас ауылының ер - һыу атамалары.
    1.4. Ҡыҙрас ауылының диалекты .
    Йомғаҡлау.
  • Дипломная работа:

    Структура внутренней картины здоровья в юношеском возрасте

    132 страниц(ы) 

    ВЕДЕНИЕ 2
    ГЛАВА I. ТЕОРИТЕЧЕСКИЕ ОСНОВЫ СТРУКТУРЫ ВНУТРЕННЕЙ КАРТИНЫ ЗДОРОВЬЯ 8
    1.1. Психология здоровья как новая отрасль человекознания 8
    1.2.Основные подходы к пониманию «внутренней картины здоровья» 15
    1.3. Особенности структуры внутренней картины здоровья в юношеском возрасте 28
    Выводы первой главе 42
    ГЛАВА II. ЭМПИРИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ РАЗЛИЧИЙ В СТРУКТУРЕ ВНУТРЕННЕЙ КАРТИНЫ ЗДОРОВЬЯ У ЮНОШЕЙ И ДЕВУШЕК 45
    2.1. Организация и методы эмпирического исследования 45
    2.2. Анализ и интерпретация результатов исследования 49
    2.3. Программа тренинга по развитию структурных компонентов внутренней картины здоровья в юношеском возрасте 78
    Выводы по второй главе 83
    ЗАКЛЮЧЕНИЕ 85
    СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 85
    ПРИЛОЖЕНИЯ 100
  • Дипломная работа:

    Развитие музыкального мышления младших школьников на занятиях в классе фортепиано

    87 страниц(ы) 

    Введение….3
    Глава I. Методологические основы развития музыкального мышления младших школьников
    1.1. Понятие и виды мышления….9
    1.2.Музыкальное мышление и его психологические характеристики….18
    1.3.Проблема музыкального мышления в истории музыкального образования…25
    1.4.Психофизиологическая характеристика младших школьников в контексте решения проблемы развития их музыкального мышления….29
    Выводы по I главе….33
    Глава II. Опытно - экспериментальная работа по развитию музыкального мышления младших школьников на уроках фортепиано
    2.1.Формы, методы и приёмы работы по развитию музыкального мышления на занятиях в классе фортепиано….35
    2.2.Инструментарий обследования музыкального мышления младших школьников…50
    2.3. Выявление уровня музыкального мышления учащихся 8, 9 лет на этапе констатирующего эксперимента….55
    2.4.Формирующий этап опытно-экспериментальной работы….59
    2.5.Результаты эксперимента….65
    Выводы по II главе….70
    Заключение….74
    Список литературы….78
    Приложение….84
  • Курсовая работа:

    М.акмулла исемендәге башкорт дәүләт педагогия университетында татар теле белеме үсеше (абдуллина ф.а., мәхмүтшина д.з.)

    28 страниц(ы) 

    Кереш . 3
    Төп өлеш. М. Акмулла исемендәге Башкорт дәүләт педагогик университетында татар теле белеме үсеше.5
    Беренче бүлек. Филология фәннәре кандидаты, татар теле һәм әдәбияты кафедрасы доценты Ф.А. Абдуллинаның татар теле һәм әдәбияты кафедрасында гыйльми эшчәнлеге.5
    1.1. Ф.А. Абдуллинаның тормыш юлы турында кыскача мәгълүмат.6
    1.2. Ф.А. Абдуллина – педагог.8
    1.3. Ф.А. Абдулинаның татар теле белеме өлкәсендә.11
    1.4. Ф.А. Абдулинаның басма хезмәтләре исемлеге.15
    Икенче бүлек. Филология фәннәре кандидаты, татар теле һәм әдәбияты кафедрасының доценты Д.З. Мәхмүтшинаның татар теле һәм әдәбияты кафедрасында гыйльми эшчәнлеге.17
    2.1. Д.З. Мәхмүтшинаның тормыш юлы турында кыскача мәгълүмат.18
    2.2. Д.З. Мәхмүтшина – педагог.20
    2.3. Д.З. Мәхмүтшинаның татар теле белеме өлкәсендә хезмәте.22
    2.4. Д.З. Мәхмүтшинаның басма хезмәтләре исемлеге.26
    Йомгак.28
    Кулланылган әдәбият исемлеге.30
  • Дипломная работа:

    Синхронизация работы полушарий мозга на уроках английского языка на основе творческих заданий

    78 страниц(ы) 

    ВВЕДЕНИЕ 3
    ГЛАВА 1. ЛАТЕРАЛИЗАЦИЯ ПОЛУШАРИЙ ГОЛОВНОГО МОЗГА И ИХ СИНХРОНИЗАЦИЯ 6
    1.1. Сущностные характеристики левого и правого полушарий головного мозга 6
    1.2. Современные тенденции в системе образования 11
    1.3. Синхронизация работы полушарий головного мозга 16
    ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 1 22
    ГЛАВА 2. ТВОРЧЕСТВО И ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ МОЗГА 23
    2.1. Творчество, как вид самореализации человека 23
    2.2. Работа полушарий мозга в процессе творчества 28
    ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 2 31
    ГЛАВА 3. ТВОРЧЕСКИЕ ЗАДАНИЯ КАК ОСНОВА СИНХРОНИЗАЦИИ РАБОТЫ ПОЛУШАРИЙ МОЗГА 32
    3.1. Творческие задания на уроках английского языка 32
    3.2. Организация творческой деятельности учащихся на основе УМК «Spotlight» в 5 классе 38
    3.3. Апробация системы упражнений на синхронизацию работы полушарий мозга 52
    ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 3 58
    ЗАКЛЮЧЕНИЕ 59
    СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 62
    ПРИЛОЖЕНИЕ 1
    ПРИЛОЖЕНИЕ 2
    ПРИЛОЖЕНИЕ 3
  • Курсовая работа:

    Кредит и его роль в рыночной экономике

    38 страниц(ы) 

    Введение. 3
    Глава 1. Кредитная система РФ. 5
    1.1 Роль кредита. 5
    1.2 Функции и классификация кредита. 9
    Основные функции кредита 21
    1.3 Кредитные операции банка. 21
    Глава 2. Кредитование экономики в России. 29
    2.1 Анализ кредитования населения России на примере ипотечного кредитования. 29
    2.2 Анализ кредитования реального сектора экономики России. 34
    Заключение. 37
    Список использованной литературы: 38