У нас можно недорого заказать курсовую, контрольную, реферат или диплом

«Автофотоэлектронная эмиссия полупроводниковых многоэмиттерных катодов» - Дипломная работа
- 45 страниц(ы)
Содержание
Введение
Выдержка из текста работы
Заключение

Автор: navip
Содержание
Введение.
Глава 1. Автофотоэлектронные катоды и их эмиссионные свойства.
1.1. Многоэмиттерные автоэлектронные катоды
1.1.1. Полевая фотоэлектронная эмиссия из полупроводниковых многоэмиттерных катодов.
1.1.2. Исследование стабильности тока полевой эмиссии полупроводниковых катодов.
1.2. Темновой ток фотокатода.
1.3. Эмиссионные свойства многоэмиттерных автокатодов
1.4. ВАХ полупроводниковых фотокатодов.
1.5. Люкс-амперные характеристики фотокатодов.
1.6. Оптические свойства.
1.6.1. Основные оптические постоянные.
1.6.2. Собственное поглощение.
1.6.3. Примесное поглощение.
Глава 2. Фотоприемники на основе арсенида галлия.
2.1. Автофотоэлектронная эмиссия.
2.2. Фотокинетические характеристики многоострийных автокатодов.
2.3. Исследование эмиссионных характеристик многоэмиттерных автоэлектронных катодов.
2.4. Эмиссионные характеристики автокатодов.
2.5. Технология изготовления катодов.
2.6. Изготовление многоострийных структур.
2.7. Изготовление и оптимизация фотокатодов с отрицательным электронным сродством.
Заключение
Введение
В последние годы наблюдается возрастающий интерес к вакуумной микроэлектронике, связанный с интенсивным развитием и применением новых технологических процессов, позволивших создать на их основе твердотельные структуры микронных и субмикронных размеров и тем самым реализовать многие потенциальные преимущества автоэлектронных катодов как эффективных источников электронов.
Одной из актуальных проблем современной физической электроники является создание эффективных источников электронов большой площади на основе автоэлектронной эмиссии. Автокатоды, обладающие рядом преимуществ перед другими типами катодов, перспективны в таких разделах как вакуумная электроника, электроника СВЧ и др. При этом, для создания приборов электронной техники практический интерес представляют электронные автокатоды, выполненные в виде матрицы достаточно большой площади с высокой плотностью расположения острий – многоэмиттерные катоды.
Основными требованиями, определяющими возможность практического использования многоэмиттерных автокатодов, являются достижение высокой степени однородности эмиссии по поверхности катода и ее стабильность.
К настоящему времени в результате многолетних исследований в нашей стране появились первые образцы приборов на базе таких катодов, отличающихся от своих твердотельных аналогов более высокими эксплуатационными параметрами. К сожалению, наблюдаемая во многих случаях эмиссионная неоднородность многоэмиттерных автокатодов все еще препятствует широкому использованию их на практике.
В целом, задача создания многоэмиттерного автокатода может быть решена выбором оптимальной конфигурации элементов матричной системы, позволяющей повысить плотность упаковки эмиттеров при достижении стабильной однородности эмиссии и сохранении относительно высокого коэффициента усиления поля. Поэтому поиск путей повышения стабильности и однородности эмиссии многоэмиттерных автокатодов, а также расширение набора материалов, применяемых для их изготовления является актуальной задачей как в научном, так и в прикладном значении.
Выдержка из текста работы
Глава 1. Автофотоэлектронные катоды и их эмиссионные свойства.
Многоэмиттерные автофотоэлектронные катоды.
Полупроводниковые автоэлектронные катоды, в частности кремниевые, обладают фоточувствительностью. Интерес к этим автофотокатодам резко возрос с появлением возможности создания их в виде эмитирующей матрицы большой площади. Матрицы могут быть использованы в качестве фотодетекторов в технических приборах разного назначения. Однако широкому практическому использованию таких фотокатодов препятствует в основном две причины: неравномерность эмиссии по поверхности и большая величина темновых токов, что в известной степени является следствием неразработанности самого метода изготовления многоострийных мозаик и результатом недостаточной изученности фоточувствительности структур.
Основным препятствием создания многоострийных автофотокатодов на пути к их широкому применению было неравномерное распределение эмиссионных центров по поверхности катода. При этом геометрическая однородность матрицы острий во многом предопределяла получение эмиссионной однородности. Однако и на структурах с высокой степенью геометрической однородности при исследовании их эмиссионных характеристик часто обнаружилось появление неконтролируемых эмиссионных центров, не связанных с полученной структурой. Поэтому выяснение природы таких центров эмиссии и путей их устранения необходимо для создания автофотокатодов со стабильной однородной эмиссией и высокой квантовой эффективностью.
Существует несколько технологических подходов для создания многоострийных автофотокатодов. Лучшие результаты получены с помощью фотолитографического метода травления и метода направленного выращивания нитевидных кристаллов из пара. Фотолитографический метод травления позволяет изготовить острийные структуры из монокристаллической пластинки, однако возможности этого метода ограничены из-за трудностей создания малых радиусов закругления и чувствительности его к неоднородностям структуры и состава исходной пластинки. В методе направленной кристаллизации из пара через слой жидкой фазы можно в широких пределах изменять размеры, радиус закругления и густоту острий, однако степенью чистоты материала здесь управлять гораздо труднее, чем в методе травления.
1.1.1. Полевая фотоэлектронная эмиссия из полупроводниковых многоэмиттерных катодов.
На протяжении всей истории создания многоэмиттерных автофотокатодов основным препятствием на пути к их широкому применению было неравномерное распределение эмиссионных центров по поверхности катода. При этом геометрическая однородность матрицы острий во многом предопределяла получение эмиссионной однородности. Однако и на структурах с высокой степенью геометрической однородности при исследовании их эмиссионных характеристик часто обнаруживалось появление неконтролируемых эмиссионных центров, не связанных с полученной структурой. Поэтому выяснение природы таких центров эмиссии и путей их устранения необходимо для создания автофотокатодов со стабильной однородной эмиссией и высокой квантовой эффективностью.
Одним из перспективных способов изготовления многоэмиттерных авто-фотокатодов является метод фотолитографии с последующим химическим травлением. Была предложена процедура оптимизации этого способа с применением современных достижений микроэлектронной технологии, что позволило создавать матрицы полупроводниковых острий заданной высоты (5—30 мкм) и конфигурации с плотностью расположения острий свыше 7,5-105 см-2. Для отработки и отбора отдельных технологических операций, включающих магнетронное напыление защитных пленок, ионную очистку высокочастотным разрядом и ионно-плазменное травление, исследовался характер изменения топологии поверхности полупроводника и определялась концентрация и химический состав посторонних примесных включений на его поверхности и в приповерхностной области. Использовались монокристаллические пластины из Gе, Si, GаАg с ориентацией <111>, площадью 2—3 см2, толщиной 0,3—0,8 мм и различным удельным сопротивлением.
С целью определения природы примесных включений необходимо было, во-первых, установить химический состав загрязнений и выявить, являются ли они привнесенными извне; во-вторых, выяснить влияние этих включений на качество изготавливаемых структур, после чего исследовать возможность удаления этих примесей. Микрогеометрия поверхности образцов исследовалась на оптическом (Nеорhоt) и растровых (РЭМ-100 и JSМ-35) микроскопах. Элементный состав анализировался на электронном оже-спектрометре 09ИОС-10-004. Послойный анализ химического состава приповерхностной области образцов проводился на оже-спектрометре LАЗ-2000 фирмы «Ribег», а также с помощью вторично-ионного масс-анализатора «Полюс-4». Исследовались исходные образцы и образцы после различных технологических операций.
В оже-спектре исходной пластины германия наблюдаются пики углерода (с энергией 272 эВ), азота (385 эВ) и серы (152 эВ). В результате предварительной химической очистки германиевых подложек в перекисно-аммиачном растворе интенсивность пиков углерода и серы существенно уменьшается (хотя полностью и не исчезает). Кроме того, было установлено, что наибольшие загрязнения поверхности при использовании фотолитографического метода с последующим жидкохимическим травлением вносит операция снятия фоторезиста в моноэтаноламине. В соответствующих оже-спектрах присутствуют пик кислорода (512 эВ), высокоинтенсивный пик углерода (272 эВ), а также примеси азота и фтора. Поэтому снятие защитной пленки проводилось с использованием ионной очистки высокочастотным разрядом в аргоне, что позволило исключить операцию удаления «отработанного» фоторезиста кипячением в моноэтаноламине. В оже-спектре подложки, прошедшей такую высокочастотную обработку, наблюдается значительное снижение содержания примесей на ее поверхности.Оже-спектры поверхности германиевой пластины, полученные после ионно-плазменного травления в аргоне в течение 1ч (при этом поверхностный слой толщиной в несколько мкм, что соответствует высоте формируемых фотолитографическим методом микроструктур при изготовлении катодов), отчетливо демонстрируют уменьшение интенсивности пика углерода (т. е. количества углерода на поверхности полупроводника).При проведении послойного анализа химического состава пластина полупроводника стравливалась на несколько десятков ангстрем в течение 2—5 мин. По зависимостям интенсивности оже-пиков (соответствующих электронным переходам в кислороде, углероде и германии) от времени распыления строились кривые распределения концентрации элементов по толщине пластины.
На рис. 1, а представлены данные по распределению элементов по глубине в германиевой пластине после ионно-плазменной обработки и оже-спектр ее поверхности (рис. 1, б). Сравниваются по интенсивности пики Gе (1110 эВ), С (272 эВ) и О (490 эВ). Из приведенных результатов видно, что как на поверхности, так и в объеме полупроводника наблюдаются скопления углерода и кислорода. Выходы примесных скоплений на поверхность полупроводника создают на ней потенциальный рельеф, обусловливающий пятнистый характер эмиссии германия. Как показали дальнейшие исследования, в состав этих примесей в большом количестве входят также атомы щелочных металлов, причем большинство примесей имеют собственное объемное происхождение. Типичный состав примесей на германиевом катоде, вносимых при обработке, это С, S, F, N. Количество вносимых примесей можно было уменьшить при соответствующем выборе технологических способов и режимов проведения операций. Далее проводился сравнительный анализ эмиссионных и эксплуатационных свойств многоэмиттерных катодов, полученных фотолитографическим методом с последующим либо химическим, либо ионно-плазменным травлением с целью выявления закономерностей между содержанием примесей на поверхности и появлением неконтролируемых эмиссионных центров. Эмиссионные свойства изучались в статическом режиме на металлических безмасляных установках с непрерывной откачкой и в стеклянных отпаянных приборах. Измерительная ячейка помимо катода содержала близко расположенный (100—400 мкм) анод-экран, позволяющий наблюдать распределение эмиссии по всей площади катода. Предварительная ионная обработка поверхности катодов приводила к более равномерному включению в работу острий, однако даже при этих условиях можно было наблюдать исчезновение или рождение отдельных неконтролируемых эмиссионных центров, которое проявлялось в возникновении ряда неустойчивых ярких точек на фоне менее ярко светящейся области. Вольт-амперные характеристики (ВАХ) эмиссионного тока снимались в темноте при охлаждении жидким азотом, а также при комнатной температуре (рис. 2).
Выяснилось, что темновой ток германиевых автокатодов меняется в зависимости от их удельного сопротивления, а также от предварительной обработки поверхности подложек. При комнатной температуре все катоды показывали достаточно высокие темновые токи от 10-8 до 510-5 А. При охлаждении жидким азотом уровень темнового тока понижался и составлял, например, для катода из материала ГДГ-3,0 (1—2)•10-11 А при ионной обработке и 8•10-10 А без такой обработки. Резкое увеличение темнового тока наблюдалось и с увеличением концентрации примесных включений на поверхности полупроводника (до 10-4 А). Рост темнового тока
Рис. 1. а — Распределение концентрации элементов по глубине в приповерхностном слое германиевой пластины после ионно-плазмениого травления, б — оже-спектр ее поверхности, t — время распыления, / — интенсивность оже-линии
Рис. 2. а - ВАХ полного эмиссионного тока многоострийных катодов после ионно-плазменной обработки, снятые при Т =300 К: 1 - Ge (ГДГ-40), 2 - Si (КДБ-40), 3 - СаАg (АГДЦ-3); б, в — соответствующие кривые энергетического распределения автоэлектронов
происходил также при длительной эксплуатации катода при постоянном напряжении и комнатной температуре. ВАХ полного тока со всей эмитирующей площади катода для образцов р-типа имели характерную нелинейную форму (рис.2).
Аналогичные ВАХ были получены и для локальных (диаметром до 100 А) участков поверхности катода при проведении энергетического анализа электронов. С этой целью матрица острий помещалась в рабочую камеру универсальной сверхвысоковакуумной установки УСУ-4, внутри которой располагался энергоанализатор автоэлектронов. Измерение энергетического распределения автоэлектронов производилось для эмитирующей области, лежащей на электронно-оптической оси энергоанализатора при двух режимах работы катода: начала участка насыщения (рис. 2, б) и переходного к области размножения носителей тока участка ВАХ. (рис. 2, в). Как видно из приведенных результатов, кривые энергетического распределения имеют один максимум, а полная ширина энергетического распределения на полувысоте возрастает от 0,6 эВ (рис. 2, б) до 2,2 эВ (рис. 2, в) с увеличением полного эмиссионного тока от 10-7 до 3-10-5 А.
На Gе-катоде (ГДГ-0,2) при отборе больших (порядка сотен мкА) токов наблюдалось появление эмиссионных центров вне острийной структуры, просмотр которых с помощью сканирующего электронного микроскопа позволил обнаружить возникновение новообразований — «капель» (островков) диаметром от 50 до 300 мкм, имеющих вид кратеров. Был проведен оже-анализ трех характерных областей: «капли», регулярной (острийной) структуры и участка поверхности без структуры (т. е. вне катода), на котором не наблюдались подобные центры эмиссии. Оже-анализ «капель» показал повышенное содержание в них калия, а также присутствие пиков С, N, О и отсутствие калия на соседних участках, что свидетельствует о пятнистом характере распределения примеси. Вследствие низкой чувствительности оже-метода к Nа его присутствие было обнаружено с помощью вторично-ионной масс-спектроскопии. Наибольшие скопления примесей щелочных металлов, приводящие к локальным понижениям работы выхода, наблюдались на субмикронных дефектах Gе-пластины. В таком случае изменениенапряженности электрического поля должно приводить к изменению диффузии атомов щелочного металла к поверхности эмиттера из его объема. С этим обстоятельством может быть связана повторяемость картин появления неконтролируемых центров при разных анодных напряжениях.Для выбора оптимальных технологических режимов и анализа стабильности работы многоострийных катодов были исследованы спектры токовых флуктуаций в области низких частот.
Рис. 3. Спектры флуктуаций тока флуктуаций в области низких частот полевой эмиссии из полупроводниковых многоострийных катодов, снятые при Т = 300 К на участке Фаулера-Нордгейма вольт-амперной характеристики при эмиссионном токе I = 7,5•10-6 А: 1-Ge (ГДГ-40), 2-Si (КДБ-40), 3-GaAg (АГДЦ-3)
Жидкохимическое травление при формировании структур дает гораздо больший разброс в радиусах острий, чем ионно-плазменное, и ведет к большей геометрической неоднородности, что проявляется в существенном возрастании уровня шума. Предварительная ионная очистка поверхности пластин высокочастотным разрядом приводила к снижению уровня шума. Проведенные измерения показали, что основной компонентой флуктуаций тока полевой эмиссии на участке Фаулера-Нордгейма вольт-амперной характеристики является 1/f шум (рис. 3), а графики зависимости спектральной плотности мощности шума от частоты S(f) для катодов из Gе, Si, GаАg (кривые 1, 2, 3) хорошо аппроксимируются зависимостью вида 1/fά, что позволяет использовать для описания флуктуаций статистическую модель, связывающую мощность шума со средним числом эмитирующих центров. Появление неконтролируемых центров эмиссии приводит к осцилляциям эмиссионного тока и качественному изменению вида спектра флуктуаций.
На участке насыщения ВАХ, где ток эмиссии определяется в основном скоростью генерации неосновных носителей, уровень шума практически падает до дробового, а зависимость S(f) приобретает вид, близкий к спектру Лоренца. Последнее обстоятельство очень важно при практическом использовании полупроводниковых многоострпйных автофотокатодов в качестве пороговых фотоприемников.
Заключение
В данной работе рассмотрены многоэмиттерные автокатоды из арсенида галлия и их эмиссионные характеристики. Основное внимание было уделено проблемам повышения эффективности катодов, таких как оптимизация геометрических параметров катодов и расчет напряженности электрического поля многоэмиттерных автокатодов.
Тема: | «Автофотоэлектронная эмиссия полупроводниковых многоэмиттерных катодов» | |
Раздел: | Физика | |
Тип: | Дипломная работа | |
Страниц: | 45 | |
Цена: | 1300 руб. |
Закажите авторскую работу по вашему заданию.
- Цены ниже рыночных
- Удобный личный кабинет
- Необходимый уровень антиплагиата
- Прямое общение с исполнителем вашей работы
- Бесплатные доработки и консультации
- Минимальные сроки выполнения
Мы уже помогли 24535 студентам
Средний балл наших работ
- 4.89 из 5
написания вашей работы
-
Курсовая работа:
Денежная эмиссия, как элемент денежной системы, ее виды, сущность
34 страниц(ы)
ВВЕДЕНИЕ….3
ГЛАВА 1. ПОНЯТИЕ, ФУНКЦИИ И ЭЛЕМЕНТЫ ДЕНЕЖНОЙ СИСТЕМЫ
1.1 Сущность денежной эмиссии….5
1.2 Свойства, функции и элементы денежной эмиссии….91.3 Оптимальность денежной эмиссии….11РазвернутьСвернуть
ГЛАВА 2. ДЕНЕЖНАЯ ЭМИССИЯ, КАК ЭЛЕМЕНТ ДЕНЕЖНОЙ СИСТЕМЫ….14
2.1 Виды и типы денежной эмиссии.…14
2.2 Механизм проведения денежной эмиссии….18
2.3 Перспективы развития денежной эмиссии в Российской Федерации….22
ЗАКЛЮЧЕНИЕ….28
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ….31
-
Контрольная работа:
16 страниц(ы)
ВВЕДЕНИЕ 2
1. ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ 3
2. ПРОЦЕДУРА ЭМИССИИ ЭМИССИОННЫХ ЦЕННЫХ БУМАГ 7
3. РЕШЕНИЕ О ВЫПУСКЕ ЭМИССИОННЫХ ЦЕННЫХ БУМАГ 84. РЕГИСТРАЦИЯ ВЫПУСКА ЭМИССИОННЫХ ЦЕННЫХ БУМАГ 9РазвернутьСвернуть
5. ПРОСПЕКТ ЭМИССИИ 10
6. НЕДОБРОСОВЕСТНАЯ ЭМИССИЯ 13
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 15
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 16
-
Курсовая работа:
28 страниц(ы)
Введение…3
1. Отказ в регистрации выпуска и проспекта ценных бумаг…5
1.1. Причины отказа в регистрации выпуска и проспекта ценных бумаг…51.2. Некоторые проблемы признания недействительным решения регистрирующего органа, связанного с эмиссией ценных бумаг, как способа защиты прав акционеров и кредиторов…10РазвернутьСвернуть
2. Приостановление эмиссии ценных бумаг.
Признание выпуска (дополнительного выпуска)
эмиссионных ценных бумаг несостоявшимся
или недействительным…15
2.1. Приостановление эмиссии…15
2.2. Признание выпуска эмиссионных ценных
бумаг несостоявшимся…18
2.3. Признание выпуска эмиссионных ценных
бумаг недействительным…21
Заключение…25
Список использованных источников и литературы…27
-
Курсовая работа:
33 страниц(ы)
Введение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1. Теоретические аспекты эмиссионной деятельностиЦентрального банка:РазвернутьСвернуть
1.1. Эмиссия: понятие, сущность, принципы,
наличная и безналичная эмиссия . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.2. Механизм выпуска денег в обращение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.3. Показатели, характеризующие эффективность
эмиссионной деятельности центрального банка . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2. Анализ эмиссионной деятельности Центрального банка
Российской Федерации:
2.1. Показатели, характеризующие эффективность
эмиссионной деятельности центрального банка . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.2. Влияние эмиссии на динамику денежного агрегата М2 . . . . . . . . 16
2.3. Влияние эмиссии на структуру наличной денежной массы . . . . . 18
3. Проблемы и перспективы эмиссионной деятельности
Центрального банка:
3.1. Проблемы, связанные с эмиссионной деятельностью
центрального банка . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
3.2. Перспективы эмиссионной деятельности центрального банка . . 25
Заключение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
Литература . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
-
Контрольная работа:
Эмиссия ценных бумаг: понятие и содержание процедуры
8 страниц(ы)
Контрольная работа
по Предпринимательскому праву
тема: "Эмиссия ценных бумаг: понятие и содержание процедуры"
-
Курсовая работа:
17 страниц(ы)
Введение
1. Основные положения об эмиссионных ценных бумагах
1.1.Процедура эмиссии ценных бумаг
2.Особенности обращения ценных бумаг акционерных обществ2.1.Эмиссия дополнительных акций акционерных обществ, размещаемых путем распределения среди акционеровРазвернутьСвернуть
2.2.Эмиссия ценных бумаг, размещаемых путем подписей
2.3.Эмиссия ценных бумаг, размещаемых путем конвертации в них конвертируемых ценных бумаг
Заключение
Не нашли, что искали?
Воспользуйтесь поиском по базе из более чем 40000 работ
Предыдущая работа
Повторные и двойные рядыСледующая работа
Система обучения графическим навыкам в основной и средней школе




-
Курсовая работа:
Игра как средство воспитания дошкольников
34 страниц(ы)
Введение 3-4
1 Теоретический анализ игровой деятельности детей дошкольного возраста 5
1.1 Понятие и сущность игры. Теория игровой деятельности в отечественной педагогике и психологии 5-111.2 Значение игры в формировании личности дошкольника 12-15РазвернутьСвернуть
1.3 Психолого-педагогические особенности игры 16-17
1.4 Этапы формирования игровой деятельности детей 18-22
2 Игра как средство воспитания дошкольников 23
2.1 Научный анализ игровой деятельности 23-24
2.2 Игровой опыт как практическое определение уровня воспитанности и личностного развития детей 25-28
Заключение 29-30
Литература 31-32
-
Дипломная работа:
Формирование креативных способностей студентов-дизайнеров
85 страниц(ы)
ВВЕДЕНИЕ….
ГЛАВА I.
1.1 Способности
1.2 Креативные способности
ГЛАВА II
Педагогическое сопровождениеТестированиеРазвернутьСвернуть
Методические рекомендации
ЗАКЛЮЧЕНИЕ…
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ…
ПРИЛОЖЕНИЕ…
-
Дипломная работа:
Изучение русского романса xix века в общеобразовательной школе
70 страниц(ы)
Введение….….3
Глава 1. Теоретические основы изучения русского романса в общеобразовательной школе….…7
1.1.К истории появления и развития жанра романса….71.2.Характерные особенности жанра романса….….13РазвернутьСвернуть
1.3. Музыкальное восприятие как ведущий вид музыкальной деятельности детей при изучении жанра романса….16
Глава 2.Педагогические условия изучения русского романса XIX века на уроках музыки….….34
2.1. Содержание, формы и средства изучения русского романса XIX века на уроках музыки….34
2.2.Опытно-экспериментальная работа и ее результаты….40
Заключение…67
Список литературы…68
-
Дипломная работа:
Патриотическое воспитание учащихся на основе башкирских пословиц и поговорок
63 страниц(ы)
ИНЕШ.3
I БҮЛЕК. БАШҠОРТ ХАЛЫҠ МӘҠӘЛДӘРЕ ҺӘМ ӘЙТЕМДӘРЕНӘ ДӨЙӨМ КҮҘӘТЕҮ.71.1. Башҡорт халыҡ ижадында мәҡәл һәм әйтемдәрҙең килеп сығышы.7РазвернутьСвернуть
1.2. Әйтем-мәҡәлдәрҙең тарихи ерлеге.19
II БҮЛЕК. БАШҠОРТ МӘҠӘЛДӘРЕ ҺӘМ ӘЙТЕМДӘРЕ АША БАЛАЛАРҘЫ ТӘРБИӘЛӘҮ.30
2.1. Уҡыусыларға патриотик тәрбиә биреүҙә афористик жанрҙарҙың роле.30
2.2. Әйтем-мәҡәлдәр нигеҙендә патриотик тәрбиә биреү үҙенсәлектәре.43
ЙОМҒАҠЛАУ.57
ҠУЛЛАНЫЛҒАН ӘҘӘБИӘТ ИСЕМЛЕГЕ.60
-
ВКР:
112 страниц(ы)
ВВЕДЕНИЕ 4
ГЛАВА I. ПОНЯТИЕ ЛЕКСИКИ С НАЦИОНАЛЬНО-КУЛЬТУРНОЙ СЕМАНТИКОЙ КАК ИСТОЧНИКА ФОРМИРОВАНИЯ СОЦИОКУЛЬТУРНОЙ КОМПЕТЕНЦИИ У ОБУЧАЮЩИХСЯ 101.1. Понятие социокультурной компетенции 10РазвернутьСвернуть
1.2. Лингвострановедческая компетенция как составляющий элемент социокультурной компетенции 14
1.3. Социолингвистическая компетенция как составляющий элемент социокультурной компетенции 23
1.4. Социально-психологическая компетенция как составляющий элемент социокультурной компетенции 26
1.5. Культурологическая компетенция как составляющий элемент социокультурной компетенции 28
ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 1 31
ГЛАВА II. ЛЕКСИЧЕСКАЯ СОСТАВЛЯЮЩАЯ РОМАНА У.М. ТЕККЕРЕЯ «ЯРМАРКА ТЩЕСЛАВИЯ» С ПОЗИЦИИ СОЦИОКУЛЬТУРОЛОГИИ 34
2.1. Роман У.М. Теккерея «Ярмарка тщеславия» как отражение национальной культуры Англии XIX века 34
2.2. Реалии в романе У.М. Теккерея «Ярмарка тщеславия» 37
2.3. Коннотативная лексика в романе У.М. Теккерея «Ярмарка тщеславия» 51
2.4. Фоновая лексика в романе У.М. Теккерея «Ярмарка тщеславия» 53
ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ II 56
ГЛАВА III. СОЦИОКУЛЬТУРНАЯ КОМПЕТЕНЦИЯ КАК ОСНОВНОЙ ЭЛЕМЕНТ ФОРМИРОВАНИЯ ИНОЯЗЫЧНОЙ КОММУНИКАТИВНОЙ КОМПЕТЕНЦИИ 59
3.1. Методы формирования социокультурной компетенции в процессе иноязычного обучения 59
3.2. Элективный курс «Английская культура в романе У.М. Теккерея
«Ярмарка тщеславия» 66
ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ III 75
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 77
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 80
ПРИЛОЖЕНИЕ 1 87
ПРИЛОЖЕНИЕ 2 114
-
Дипломная работа:
Методика изучения дробных чисел по УМК Занкова с использованием Монтессори-материала
40 страниц(ы)
Введение 3
Глава 1. 9
Теоретико-методологические основания изучения дробных чисел по учебно-методическому комплексу Занкова с использованием Монтессори-материала 91.1 Особенности изучения математики по учебно-методическому комплексу Занкова 9РазвернутьСвернуть
1.2 Применение Монтессори-материала при изучении дробных чисел по учебно-методическому комплексу Занкова 13
Глава II. Опытно-педагогическая работа по изучению дробных чисел по учебно-методическому комплексу Занкова с использованием Монтессори-материала 19
2.1 Программа изучения дробных чисел по учебно-методическому комплексу Занкова с использованием Монтессори-материала 19
2.2 Этапы и содержание опытно-педагогической работы по внедрению Монтессори-материала в учебный процесс по математике при изучении дробных чисел. 30
2.3 Подведение итогов опытно-педагогической работы и разработка методических рекомендаций для учителей начальных классов 37
-
Дипломная работа:
Особенности перевода синтаксических выразительных средств
90 страниц(ы)
Введение….3
Глава I. Теоретические аспекты изучения синтаксических выразительных средств…7
1.1 Классификация выразительных средств….71.2 Особенности синтаксических выразительных средств и их функции….16РазвернутьСвернуть
1.3 Особенности переводческих преобразований при передаче синтаксических выразительных средств….31
Глава II. Своеобразие синтаксических выразительных средств в романах С.Моэма и проблемы их передачи при переводе с английского языка на русский язык(на материале романов«Театр» и «Узорный покров» ….43
2.1 Особенности анализа приёмов выразительности синтаксиса в романах С.Моэма.43
2.2 Выразительные средства, в основе которых лежит отсутствие логически требуемых компонентов речи….45
2.3 Выразительные средства, связанные с избыточным употреблением компонентов речи….50
2.4 Проблемы передачи синтаксических выразительных средств при переводе с английского на русский язык (на материале романов С.Моэма «Театр» и «Узорный покров»)….68
Заключение….84
Список литературы…89
-
Дипломная работа:
60 страниц(ы)
Введение_3
Глава Ι Проблемы фразеологии в лингвистике
1.1 Фразеологическая единица и ее сущность_6
1.2 Специфика фразеологической системы_131.3 Коннотация как средство экспрессивной окраски номинативных единиц_17РазвернутьСвернуть
1.4 Структурные типы фразеологических единиц во французском языке_22
1.5 Функционально-стилистические коннотации_27
1.6 Расхождение в области фразеологии в русском и французском языках_31
Выводы по Ι - ой главе_33
Глава ΙΙ Диагностика функционирования фразеологических единиц с компонентом «зооним» в русском и французском языках
2.1 Особенности французских и русских фразеологических единиц с компонентом «зооним»_34
2.2 Диагностика функционирования зоофразеологизмов в русском языке_38
2.3 Тематическая диагностика фразеологических единиц с компонентом «зооним» во французском, испанском и русском языках_43
Выводы по ΙΙ – главе _50
Заключение_52
Список использованной литературы_53
Приложения
-
Практическая работа:
59 страниц(ы)
ВВЕДЕНИЕ…. 5
ПЛАВАНИЕ В СИСТЕМЕ ФИЗИЧЕСКОГО ВОСПИТАНИЯ В ВУЗЕ… 7
СТРУКТУРА И СОДЕРЖАНИЕ ЗАНЯТИЙ ПО НАЧАЛЬНОМУ ОБУЧЕНИЮ ПЛАВАНИЮ…9ПРИМЕРНОЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЕ УЧЕБНОГО МАТЕРИАЛА ПО НАЧАЛЬНОМУ ОБУЧЕНИЮ ПЛАВАНИЮ…. 11РазвернутьСвернуть
ЗАНЯТИЕ 1… 12
Содержание учебного материала …. 12
Методические рекомендации…. 16
ЗАНЯТИЕ 2… 17
Содержание учебного материала …. 17
Методические рекомендации…. 19
ЗАНЯТИЕ 3… 21
Содержание учебного материала …. 21
Методические рекомендации…. 22
ЗАНЯТИЕ 4… 24
Содержание учебного материала …. 24
Методические рекомендации…. 25
ЗАНЯТИЕ 5… 27
Содержание учебного материала …. 27
Методические рекомендации…. 28
ЗАНЯТИЕ 6… 30
Содержание учебного материала …. 30
Методические рекомендации…. 31
ЗАНЯТИЕ 7…. 32
Содержание учебного материала …. 32
Методические рекомендации…. 33
ЗАНЯТИЕ 8… 34
Содержание учебного материала …. 34
Методические рекомендации…. 34
ЗАНЯТИЕ 9…. 38
Содержание учебного материала …. 38
Методические рекомендации…. 39
ПРАВИЛА ПОВЕДЕНИЯ И ТЕХНИКА БЕЗОПАСНОСТИ ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ЗАНЯТИЙ ПО ПЛАВАНИЮ….40
ПРИЛОЖЕНИЕ… 45
Комплекс упражнений для занятий на суше (к занятиям 1, 2, 3, 4). 45
Комплекс упражнений для занятий на суше (к занятиям 5, 6, 7, 8, 9)…47
График поурочного распределения учебного материала для группы, не умеющих плавать…49
Игры и развлечения на воде…. 50
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК… 57
-
Дипломная работа:
Особенности перевода фантастической литературы
55 страниц(ы)
Введение….3
Глава I. Фантастическая литература в рамках функциональной стилистики.6
1.1 Понятие функционального стиля. Художественный стиль речи….61.2 Фантастика как жанр художественной литературы….14РазвернутьСвернуть
Выводы по главе I….22
Глава II. Перевод художественного текста. Перевод фантастической литературы….23
2.1 Особенности перевода художественного текста….23
2.2 Лингвистическая специфика фантастической литературы и способы ее перевода….30
Выводы по главе II…34
Глава III. Специфика перевода фантастической литературы.…35
3.1 Особенности перевода фантастической литературы жанра «фэнтези» на примере произведения Р.С. Бэккера «Слуги темного властелина….35
Выводы по главе III….45
Заключение…46
Список литературы…48