У нас можно недорого заказать курсовую, контрольную, реферат или диплом

«Магниторезистивные эффекты на структуре ферримагнитный диэлектрик/полидифениленфталид» - Дипломная работа
- 38 страниц(ы)
Содержание
Введение
Выдержка из текста работы
Заключение
Список литературы

Автор: navip
Содержание
ВВЕДЕНИЕ 3
1.1 Структура граната 5
1.2 Процесс намагничивания структуры граната 7
1.3 Влияние света (намагничивание светом ферритов) 8
1.4 Полимеры с широкой запрещенной зоной 10
1.5 Зависимость сопротивления пленок полимеров с широкой запрещенной зоной от граничныx условий на подложке. Переключение проводимости 12
1.6 Индикация процесса перемагничивания подложки при помощи пленки ПДФ (огромное магнитосопротивление) 13
1.7 Дистанционное детектирование 16
Глава 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА И ОБРАЗЦЫ 20
Глава 3. РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЯ 24
ВЫВОДЫ 32
ЛИТЕРАТУРА 33
Введение
Наиболее перспективными материалами для спинтроники являются диэлектрики, в особенности – ферримагнитные диэлектрики [1,2], а также полимеры [3,4]. Они перспективны за счет уникальности сочетания физических, химических и механических свойств, способствующих инжекции и/или транспорту спина, а также возможностью взаимодействия с магнитным полем и оптическим излучением [5]. В последнее время уделяется большое внимание свойствам тонких пленок полимеров. Это обусловлено не только развитием современной технологии, но и теми необычными свойствами, которые демонстрируют некоторые представители этих синтетических органических материалов.
Эти пленки, являясь диэлектриками с сильно локализованными валентными электронами, могут демонстрировать очень высокую электропроводимость без всякого допирования. Подобное поведение отмечалось в тонких диэлектрических пленках еще более 70-ти лет тому назад [6]. Но до сих пор причины такого изменения свойств до конца не ясны. В ходе накопленных к настоящему времени экспериментальных и теоретических результатов исследования можно предположить, что основы поведения органических полимерных и неорганических диэлектрических пленов имеют общую природу. Показана уникальная способность полимера с широкой запрещенной зоной детектировать малые изменения потенциала в цепи, последовательно соединенной с образцом [7].
В последнее время появились сообщения о перспективности применения в спинтронике иттрий-железистого граната (Y3Fe5O12, ИЖГ), в частности, о возможности спиновой инжекции и спинового транспорта на расстояния порядка 1 мм в монокристаллической среде ИЖГ магнонами при комнатной температуре [8]. Однако до настоящего момента не понятно, какие именно особенности монокристаллического ИЖГ способствуют спиновой инжекции. Так как монокристаллическая среда ИЖГ не может быть идеальной, разного рода искажения вносятся в решетку в процессе выращивания кристалла, то становится актуальной задача исследования свойств таких кристаллов, легированных разным образом. Три различных подрешетки ИЖГ обеспечивают различное по симметрии окружение анионами кислорода своим катионам. Ранее были показаны различные типы воздействия света на магнитные свойства разным образом легированных монокристаллов ИЖГ, например, на магнитострикцию [3].
В связи с этим была поставлена задача исследования особенностей перемагничивания монокристалла ИЖГ при комнатной температуре с использованием чувствительного слоя из полимерного диэлектрика, а также индикация воздействия света в магнитном поле на монокристалл.
Актуальность работы:
Полимерные диэлектрики и иттрий-железистые гранаты – основные материалы спинтроники. Исследование их магнитных свойств актуально и востребовано.
Цель работы: Исследовать состояние кубического фотоактивного магнитного диэлектрика, намагниченного в «трудном» направлении, используя пленку полидифениленфталида.
Задачи:
1. Собрать схему для дистанционного детектирования магнитного состояния ИЖГ при помощи полимерной пленки.
2. Исследовать влияние освещения ИЖГ в магнитном поле на вид временной зависимости потенциала в цепи.
Объект исследования: Полидифениленфталид – полимер с широкой запрещенной зоной (4,2 эВ), структурная формула мономерного звена. Иттрий-железистый гранат – ферримагнитный диэлектрик.
Выдержка из текста работы
Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.
1.1 Структура граната
Гранаты имеют кубическую структуру. Представителем гранатов является минерал шпенсартит с химической формулой Mn3Al2(SiO4)3, который относящий к ортосиликатам. В нем содержится 3 сорта катионов (Mn2+, Al3+ и Si+4) в неэквивалентных позициях с координационными числами (8,6,4). Основными элементами кристаллической структуры являются координационные тетраэдры (SiO4)-4. Они расположены определенным способом и взаимно связаны с остальными катионами (Mn2+, Al3+). Тетраэдры расположены таким образом, что никогда не имеют вершины, а между ними образуется муждоузлия для остальных катионов, имеющую форму октаэдра для ионов Al3+ , а для крупных ионов додекаэдр Mn2+. Общая структура весьма сложна, что находит свое выражение в размерах элементарной ячейки, характеризующими тип этих позиций по отношению к общей симметрии структуры. Введены обозначения позиций: c- додекаэдрическая позиция, a- октаэдрическая позиция, d- тетраэдрическая позиция. Для того чтобы указать распределение отдельных катионов по этим позициям, используются различные виды скобок { } – для позиции с, [ ] - для позиции a и ( ) – для позиции d. В этом случаи можно записать химическую формулу шпенсартита более точнее: { Mn2+}[Al3+}(SiO-4)O-2.
Положение катионов в элементарной ячейке представлена на рис.1 на котором для наглядности опущены ионы кислорода.
В отличие от катионов положения ионов кислорода обладают в структуре граната тремя степенями свободы, так что их координаты следует определять тремя параметрами x,y,z.
Значение этих параметров изменяются в зависимости от химического состава граната, а прежде всего от величины катионов. При смещении ионов кислорода из идеальных положений возникает деформация координационных многогранников.
Рис.1. Распределение катионов в структуре граната [1]
Деформация проявляется в нарушении равенства длин ребер отдельных многогранников. Однако расстояния центра катиона от ионов кислорода находящихся в вершинах соответсвующего многогранника остаются одинаковыми. Локальная симметрия является ромбической для позиции – с , тригональной для позиции a, и тетраганальной для позиции – d. Исходя из этого можно заметить, что катионы в позиция c,a,d образуют три неэквивалентные подрешетки. Если эти подрешетки заняты магнитными ионами, то есть вероятность возникновения ферримагнитизма. Что касается выбора катионов, то структура граната обладает большей избирательностью. Избирательность связанно с особенностями структуры граната, которая характеризует свободным упорядочением координационных тетраэдров. Это, по- видимому и налагает ограничение на размеры катионов и так же приводит к тому, что большие отклонения от стехиометрии или образование дефектных структур с вакансиями невозможны.
Поэтому можно сделать вывод, что структура граната допускает достаточно большие деформации и снижение симметрии решетки без изменения вида упорядочения. Возможность существования определенных комбинаций ионов в структуре и их распределение по позициям определяется абсолютными и относительными размерами катионов и конфигурацией их электронных оболочек. [1,3]
1.2 Процесс намагничивания структуры граната
В магнитном отношении по макроскопическим свойствам ферримагнетики похожи на ферромагнетики. Все процессы, протекающие при намагничивании ферромагнитного тела, можно поделить на следующие группы:
1) Смещение доменных границ;
2) Вращение вектора намагниченности;
3) Парапроцесс.
Эти процессы могут протекать обратимо и необратимо. Рассмотрим сначала первую группу, смещение доменных границ. В первом случаи намагниченность протекает так, что объем ферромагнитных доменов растет за счет доменов с неблагоприятной ориентацией (рис. 2). Вектор намагниченности ориентирован благоприятно по отношению к действующему полю.
Считается, что доменные границы являются абсолютно жесткими и плоскими, т.е не деформируются при движении. Но при этом часто оказывается более выгодно энергетически, если граница подвергающаяся воздействию внешнего поля, не сохраняет плоскую форму. Это случается тогда, когда ферромагнитный кристалл содержит дефекты, препятствующее движению границы.(цилиндрическое изгибание границы)
Рис.2 Намагничивание, осуществляемое путем смещения 1800-ных границ (а) и 900-границ (б)
Процесс вращения вектора намагниченности (случай 2) происходит либо с однодоменными частицами, либо в конечной стадии процесса технического намагничивания, т.е исчезают все доменные границы и образец переходит в монодоменное состояние. При этом вектор намагниченности отклоняется от направления легкого намагничивания и поворачивается в направлении поля. Магнитное поле создает вращательный момент, действующий на вектор намагниченности. В состоянии равновесия этот момент компенсируются противоположно направленным моментом сил анизотропии, стремящихся вернуть намагниченность в направлении легкого намагничивания.[2]
1.3 Влияние света (намагничивание светом ферритов)
Облучение светом можно проводить к изменению магнитного состояния ферритов в том числе и иттрий-железистого граната (ИЖГ) [5].
Свет изменяет обменное взаимодействие и анизотропию, так же он должен менять доменную структуру кристалла. Воздействие на домены неполяризованного света очень мало, так как он эквивалентен изменению обмена ренормеровки анизотропии. Это может привести к изменению размеров доменной стенки. Для увеличения толщины доменных стенок в ферримагнитном проводнике необходима концентрация фотоносителей примерно 1019 см-3. Значительно сильнее происходит влияния света на доменную структуру, когда он поляризован по кругу. В этом случае его действия похожи с действием магнитного поля. Он влияет не только на толщину доменных стенок, но и на размеры самих доменов. Это очень важно. Благодаря доменной структуре, ферримагнетик в отсутствие внешнего поля имеет нулевую суммарную намагниченность, так как размеры и количество доменов с противоположно направленными моментами друг с другом совпадают. Освещение циркулярно поляризованным светом, направленным вдоль намагниченности, увеличивает размер доменов с одним из направлений момента за счет доменов с противоположным моментом. Это можно объяснить круговым дихроизмом, определяемым различием коэффициентов поглощения для разных круговых поляризаций. Вследствие освещения магнитного полупроводника светом с определенной круговой поляризацией появляется разное количество фотоэлекторов в доменах с различными направлениями намагниченности. Также и интенсивность косвенного обмена в различных доменах является различной. То же самое происходит и в материалах, где свет возбуждает магнитные экситоны: число возбужденных экситонов в разных доменах различно, и обмен в доменах изменяется по-разному.
Хорошо известен эффект индуцирования одноосной магнитной анизотропии в ферритах с кубической структурой путем их термомагнитного отжига. Режим отжига получается в охлаждении феррита во внешнем магнитном поле, за счет чего возникает одноосная магнитная анизотропия. Было обнаружено, что свет увеличивает скорость релаксации одноосной магнитной анизотропии в ИЖГ(Si), наведенной отжигом. Неполяризованный свет может сам по себе вызывать появление одноосной магнитной анизотропии в намагниченных образцах в ИЖГ(Si). Для этого нужно в момент освещения образца неполяризованным светом к нему приложить внешнее магнитное поле. Это явление было названо фотомагнитным отжигом. Температура, при котором осуществляется отжиг должна быть низкой, чтобы избежать термоактивированной релаксации [5].
1.4 Полимеры с широкой запрещенной зоной
В последнее время очень перспективным научным направлением можно считать электронику тонких пленок электроактивных полимеров [9]. Если уменьшить толщину материала до определенной величины, увеличивается значимость различных факторов. Это способствует проявлению у полимеров новых, и в тоже время электронных свойств. При уменьшении толщины материала возрастает влияние поверхности. Это особенно проявляется на контакте металл-диэлектрик.
Рис.3. Зонная диаграмма трехслойной структуры МПМ.d - толщина диэлектрика
На рисунке 3 представлена зонная диаграмма трехслойной структуры металл-полимер-металл. Выбран вариант контакта, в котором оба металла одинаковы, работы выхода электрона из металла и полимера одинаковы. Это можно сказать случай прямых зон, если использовать при этом полимер, можно получить омический контакт. Из этого следует вывод, что, находясь между двумя металлическими электродами, диэлектрик с большой шириной запрещенной зоны может препятствовать протеканию заряда в том случае, когда толщина диэлектрической прослойки высока. Слой диэлектрика играет роль потенциального барьера прямоугольной формы, высота этого барьера определяется разностью между работой выхода металла и энергией электронного сродства диэлектрика. Может оказаться, что при уменьшении толщины диэлектрической пленки, сосредоточенные вблизи противоположных границ заряды могут взаимодействовать между собой, искажая форму потенциального барьера. Взаимодействие приповерхностных зарядов может провести к тому, что в середине барьера начнет формироваться локальный минимум. При таком положении в середине барьера на уровне Ферми могут возникнуть новые электронные состояния, увеличивающие его проницаемость для электронов.
В начале 1980-х был синтезирован новый полимер - полидифениленфталид. Трехмерная структура ПДФ показана на рис. 4.
Рис.4. Оптимизированная структура мономерного звена молекулы полидифениленфталида.
С помощью квантово-химических расчетов было установлена уникальная особенность этих полимеров: при изменении длины одной из связей такой молекулы может возникнуть второе энергетически устойчивое состояние. Это объясняется наличием электронных уровней в области запрещенных энергий [9].
Заключение
1. В результате проведенных измерений в процессе освещения при комнатной температуре обнаружена качественная зависимость временной функции от интенсивности воздействующего света.
2. Обнаружены колебания электрического потенциала в цепи, содержащей полимерный индикатор и медный контакт, нанесенный на ИЖГ, намагничиваемый в «трудном» направлении.
3. При увеличении интенсивности освещения от 5 до 15 мВт/см2 период колебания электрического потенциала в цепи увеличился вдвое – с 300 до 600 с.
Список литературы
1.Крупичка. С. Физика ферритов и родственных им магнитных окислов. Т1. М.: Мир, 1975. – 345с.
2. Крупичка. С. Физика ферритов и родственных им магнитных окислов. Т2. М.: Мир, 1976. – 391с.
3.Воробьева Н.В. О природе фотоиндуцированных изменений магнитострикции в монокрасталлах иттрий-железистых гранатов. КРИСТАЛЛОГРАФИЯ, том 56, № 3, 2011. - 362–366с.
4.Воробьева Н.В, Лачинов. А. Н. Огромное магнитосопротивление структур на основе нефферомагнитных широкозанных полимеров. ИЗВЕСТИЯ РАН. СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ, том 77, № 10, 2013. - 1431–1433с.
5. Коваленко В.Ф., Нагаев Э.Л. Фотоиндуцированный магнетизм. Т.148, вып. 4.1986. – 561-598с.
6. Костылев С. А., Шкут В.А. Электронное переключение в аморфных полупроводниках.Киев: Наукова думка, 1978. – 205с.
7. Набиуллин И.Р. Электрофизические свойства структуры металл-полимер-металл при фазовых превращениях в металлах. Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 2014. - 22с.
8. Kajiwara Y., Harii K., Takahashi S., Ohe J., Uchida K., Mizuguchi M., Umezawa H., Kawai H., Ando K., Takanashi K., Maekawa S.& Saitoh E. Transmission of electrical signals by spin-wave interconversion in a magnetic insulator // Nature. – 2010. – V. 464. – Pp. 262-267.
9. Воробьева Н.В, Лачинов А.Н. Электроника тонких слоев широкозонных полимеров. Успехи физических наук. Том 176, № 12, 2006. – 18с.
10.Gatner K., Lachinov A.N., Matlak M., Slebarski A., Zagurenko T.G. Fermi level and phase transformations in GdCo2// arXiv:cond-mat/0503432 v1. – 17 Mar 2005.
11.Набиуллин И.Р., Лачинов А.Н., Хисамов Р.Х., Мулюков Р.Р. Оценка параметров потенциального барьера на границе металл/полимер в ходе возврата структуры нанокристаллического никеля // ФТТ. – 2012. – Т. 54. № 3. – С. 422-426.
12.Лачинов А.Н., Воробьева Н.В., Лачинов А.А. Особенности гигантского магнитосопротивления в системе ферромагнетик-полимер.// Письма в ЖЭТФ. – 2006. – Т. 84, № 11. – С. 720-722, 2006.
13.Лачинов А.Н., Воробьева Н.В., Корнилов В.М., Логинов Б.А., Беспалов В.А. О роли спиновой поляризации электронов в эффекте инжекционного ГМС в системе Ni-полимер-Cu// ФТТ. – 2008. – Т. 50, № 8. – С. 1444-1447.
14.Воробьева Н.В., Лачинов А.Н., Гарифуллина Ф.Ф. Влияние магнитного состояния металлической подложки на гигантское магнитосопротивление структуры ферримагнетик-полимер. ИЗВЕСТИЯ РАН. СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ, том 74, № 10, 2010. - 1419–1421с.
15.Воробьева Н.В., Лачинов А.Н, Темеров В.Л, Митюхляев В.Б. Индикация магнитного состояния монокристалла иттриевого феррита-граната при помощи пленка полимера с широкой запрещенной зоной. Материалы Международной научно-технической конференции. 2014. – 17-20с.
16. Воробьева Н.В. Фотоиндуцированное перемещение электронов в иттрий-железистом гранате. Нанотехника 1 (13), 2008, стр. 85-87.
17. Воробьева Н.В. , Халилов Р. З. Статические и динамические фотоиндуцированные магнитные эффекты в иттрий-железистом гранате с малой примесью ионов бария.// ФТП. – 2012. – Т. 46, № 4. – С. 469-472.
18. Дорошенко Р. А. , Серегин С.В. Фотоиндуцированное изменение динамического магнитоупругого взаимодействия в иттриевом феррите-гранате// ФТТ. – 1997. – Т. 39, № 6. – С. 1081-1083.
19. Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1985 – 392 с.
Тема: | «Магниторезистивные эффекты на структуре ферримагнитный диэлектрик/полидифениленфталид» | |
Раздел: | Физика | |
Тип: | Дипломная работа | |
Страниц: | 38 | |
Цена: | 2400 руб. |
Закажите авторскую работу по вашему заданию.
- Цены ниже рыночных
- Удобный личный кабинет
- Необходимый уровень антиплагиата
- Прямое общение с исполнителем вашей работы
- Бесплатные доработки и консультации
- Минимальные сроки выполнения
Мы уже помогли 24535 студентам
Средний балл наших работ
- 4.89 из 5
написания вашей работы
-
Дипломная работа:
33 страниц(ы)
ВВЕДЕНИЕ. Полимерные материалы в наноэлектроник….…. 3
Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
1.1. Огромноема гнитосопротивление в системеполимер - ферромагнетик ….51.2. О роли спиновой поляризацииэлектронов в эффекте инжекционного гигантского магнитосопротивленияв системе Ni – полимер - Cu …12РазвернутьСвернуть
1.3. Магниторезистивные эффекты в системе Ni – полимер – Cu….….16
1.4.Смещение порога выключения проводимости полимера в магнитномполе….…18
Глава 2. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ
2.1.Полимерный материал….21
2.2Погатовка образца….23
Глава 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ОБСУЖДЕНИЯ
3.1.Экспериментальные результаты ….24
3.2.Обсуждение ….27
3.3. Сравнение эффектов для ПДФ и ПДШ-105….….29
Заключение ….30
Литература …31
-
Дипломная работа:
36 страниц(ы)
ВВЕДЕНИЕ 3
Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 6
1.1. Кристаллическая структура граната 6
1.2. Магнитные подрешетки и ферромагнетизм 91.3. Фотомагнетизм 14РазвернутьСвернуть
1.4. Спинтроника 17
1.5. Полимеры с широкой запрещенной зоной 18
Глава 2. ПРИБОРЫ И МЕТОДЫ ЭКСПЕРИМЕНТА 24
2.1. Нанесение свободной полимерной пленки на подложку 24
2.2. Схема измерений и приборы 26
Глава 3. РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ 28
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 31
ЛИТЕРАТУРА 32
ПУБЛИКАЦИИ 35
-
Дипломная работа:
Изучение влияния слабых магнитных полей на основе структуры ni/пдф
33 страниц(ы)
ВВЕДЕНИЕ 2
Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
1.1. Ферромагнетики 5
1.2. Спин 10
1.3. Проводимость. 11
1.4. Полимеры с широкой запрещенной зоной 131.5. Полидифениленфталид (ПДФ) 14РазвернутьСвернуть
1.6. Влияние магнитного поля на резистивные свойства наноструктур 16
1.7. Магнитные свойства тонких пленок 18
Глава 2. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫХ ЭФФЕКТОВ
2.1. Объект исследования 22
2.2. Метод нанесения полимерных слоев 22
2.3. Блок-схема эксперимента 23
Глава 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ
3.1. Переключение проводимости 25
3.2. Анализ полученных данных 28
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 30
ЛИТЕРАТУРА 31
-
Курсовая работа:
Проблемы внешних эффектов в рыночной экономике
36 страниц(ы)
Введение… 3
1. Теоретические основы проблемы внешних эффектов и их виды…. 5
1.1 Сущность положительных и отрицательных экстерналий…. 51.2 Взаимосвязь внешних эффектов и «фиаско рынка»… 11РазвернутьСвернуть
1.3 Государственное регулирование отрицательных
внешних эффектов…. 14
2. Проблемы отрицательных внешних эффектов в экономике России…. 19
2.1 Влияние отрицательных внешних эффектов на
социально-экономическую ситуацию России…. 19
2.2 Экологическое законодательство как метод регулирования отрицательных внешних эффектов…. 21
2.3 Инновационный механизм управления внешними эффектами в условиях перехода страны к устойчивому развитию…. 27
Заключение… 34
Список использованной литературы….….…. 36
-
Реферат:
Парниковый эффект и озоновая дыра.
20 страниц(ы)
Введение 3
1 Парниковый эффект 4
1.1 Примеры воздействия парникового эффекта на окружающую среду 4
1.2 Прогнозы на будущее 61.3 Загрязняющие вещества и их воздействие на окружающую среду 7РазвернутьСвернуть
1.4 Возникновение парникового эффекта: степень ответственности промышленно развитых и развивающихся стран 8
1.5 Некоторые парниковые газы и их влияние 12
2 Нарушение озонового экрана 14
2.1 Природа и значение озонового экрана 14
2.2 Формирование и разрушение озонового слоя 15
2.3 Источники атомов хлора, поступающих в атмосферу 15
2.4 «Озоновые дыры» и их влияние 16
Заключение 18
Список использованной литературы 20
-
Курсовая работа:
Влияние внешнего магнитного поля и тока на структуру магнитных неоднородностей в наностолбиках
27 страниц(ы)
ВВЕДЕНИЕ 3
Глава 1. МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА НАНОЧАСТИЦ 5
1.1. Статические магнитные измерения 5
1.2. Модельные представления о магнетизме наночастиц 5Глава 2. ДЕЙСТВИЕ ВНЕШНЕГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ 10РазвернутьСвернуть
2.1. Направление вдоль оси анизотропии 12
2.2. Направление перпендикулярно оси анизотропии частицы 12
Глава 3.ВОЗДЕЙСТВИЕ НА МАГНИТНУЮ СТРУКТУРУ НАНОМАТЕРИАЛА.13
3.2. Эффект переноса спина и генерация микроволновых колебаний
в спинвентильной наноструктуре 14
3.3. Физический механизм и математические модели спин-трансферных наноосцилляторов 15
Глава 4. ПРИМЕНЕНИЕ МАГНИТНЫХ НАНОЧАСТИЦ 21
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 24
Литература 25
Не нашли, что искали?
Воспользуйтесь поиском по базе из более чем 40000 работ





-
Курсовая работа:
Решение уравнений в целых числах
38 страниц(ы)
1. Введение ….….3
2. Решение уравнений в целых числах, как квадратных относительно какой-либо переменной…43. Метод остатков.….8РазвернутьСвернуть
4. Способ перебора вариантов….13
5. Метод бесконечного спуска….….16
6. Метод разложения на множители….….19
7. Решение систем уравнений в целых числах….….22
8. Цепные дроби…25
9. Аликвотные дроби…28
10. Уравнение второй степени с тремя неизвестными…29
11. Неразрешимые уравнения в целых числах….….32
12. Заключение….34
13. Список литературы….….….35
14. Приложение….36
-
Дипломная работа:
79 страниц(ы)
ВВЕДЕНИЕ 3
ГЛАВА 1. СИСТЕМА ДОКУМЕНТАЦИОННОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ УПРАВЛЕНИЯ: СОСТАВ И ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ 11
1.1. Характеристика нормативно-методической базы делопроизводства в системе исполнительной власти 111.2. Служба документационного обеспечения управления (ДОУ) ее назначение, задачи, структура и состав 20РазвернутьСвернуть
ГЛАВА 2. АНАЛИЗ ДОКУМЕНТАЦИОННОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ МИНИСТЕРСТВА ЗЕМЕЛЬНЫХ И ИМУЩЕСТВЕННЫХ ОТНОШЕНИЙ 31
2.1. Структура Министерства земельных и имущественных отношений и виды ее действия 31
2.2. Характеристика работы с документами в Министерстве земельных и имущественных отношений и требования к их оформлению 44
ГЛАВА 3. ПРОБЛЕМЫ В ОРГАНИЗАЦИИ ДОКУМЕНТООБОРОТА И НАПРАВЛЕНИЯ ЕГО СОВЕРШЕНСТВОВАНИЯ В МИНИСТЕРСТВЕ , ЗЕМЕЛЬНЫХ И ИМУЩЕСТВЕННЫХ ОТНОШЕНИЙ 55
3.1 Проблемы и недостатки организации документооборота в Министерстве земельных и имущественных отношений Республики Башкортостан 55
3.2 Рекомендации для повышения эффективности документооборота. 59
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 63
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ И ЛИТЕРАТУРЫ 66
ПРИЛОЖЕНИЯ 73
-
Дипломная работа:
Развитие грамматического строя речи у детей дошкольного возраста с речевыми нарушениями
71 страниц(ы)
ВВЕДЕНИЕ 3
ГЛАВА 1. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ И МЕТОДИЧЕСКИЕ ПОДХОДЫ К ПРОБЛЕМЕ ИЗУЧЕНИЯ И ФОРМИРОВАНИЯ ГРАММАТИЧЕСКОГО СТРОЯ РЕЧИ У ДЕТЕЙ ДОШКОЛЬНОГО ВОЗРАСТА С ОБЩИМ НЕДОРАЗВИТИЕМ РЕЧИ 71.1 Формирование грамматического строя речи у детей 7РазвернутьСвернуть
1.2 Особенности грамматического строя речи детей дошкольного возраста с общим недоразвитием речи III уровня 14
1.3 Логопедическая работа по формированию грамматического строя речи у детей с общим недоразвитием речи 22
Выводы по главе 1 26
ГЛАВА 2. ИЗУЧЕНИЕ ГРАММАТИЧЕСКОГО СТРОЯ РЕЧИ У ДОШКОЛЬНИКОВ С ОБЩИМ НЕДОРАЗВИТИЕМ РЕЧИ III УРОВНЯ 27
2.1 Организация и методы констатирующего эксперимента 27
2.2 Количественно-качественный анализ полученных результатов 31
Выводы по главе 2 45
ГЛАВА 3. РАЗВИТИЕ ГРАММАТИЧЕСКОГО СТРОЯ РЕЧИ У ДЕТЕЙ С ОБЩИМ НЕДОРАЗВИТИЕМ РЕЧИ III УРОВНЯ 46
3.1. Принципы и направления коррекционной работы 46
3.2. Методические рекомендации по формированию грамматического строя речи у детей дошкольного возраста с общим недоразвитием речи III уровня48 3.3.Оценка эффективности коррекционно-развивающей работы по формированию грамматического строя речи у детей дошкольного возраста с общим недоразвитием речи III уровня 58
Выводы по главе 3 60
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 62
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 64
ПРИЛОЖЕНИЕ 68
-
Дипломная работа:
Приложения проективной геометрии к решении школьных задач
80 страниц(ы)
1. Введение….3
Глава 1.Основы проективной геометрии….5
Глава 2. О решении задач на построение….18
2.1 Задачи на построение в школьных учебниках….182.2 О методике решения задач на построение…19РазвернутьСвернуть
2.3. Решение задач на построение с использованием элементов проективной геометрии….….21
2.4 Решение геометрических задач на построение одним циркулем….25
Глава 3. Теорема Дезарга и её применение к решению задач из курса школьной геометрии….…44
3.1 Задачи из школьного курса геометрии, решенные с применением теоремы Дезарга…59
-
Шпаргалка:
138 страниц(ы)
1. Понятие одномерной и многомерной оптимизации. Необходимые и достаточные условия безусловного экстремума. 42. Условный экстремум: Функция Лагранжа, метод множителей Лагранжа. 4РазвернутьСвернуть
3. Симплекс-метод. Преобразование симплекс таблиц на языке Pascal. 5
4. Двойственные задачи: симметричные и несимметричные. Двойственность в линейном программировании. 6
5. 5.Основные комбинаторные объекты и числа. 7
6. 6.Метод производящих функций. Бином Ньютона. Основные тождества с биномиальными коэффициентами. 9
7. Рекуррентные соотношения. Способы решения рекуррентных соотношений. Числа Фибоначчи. 11
8. Основные понятия теории графов. Изоморфизм графов. Связные графы. Деревья. Представление графа на ЭВМ(динамические структуры данных, стеки, очереди, двоичные деревья) 14
9. Теория множеств: множества и операции над множествами, основные проблемы. 18
10. Алгебра и алгебраические системы. 19
11. Группы (подгруппы), поля и кольца. 20
12. Основы теории экспертных систем. Общая характеристика ЭС. Виды ЭС и типы решаемых задач. Структура и режимы использования ЭС. Перспективы развития экспертных систем. 25
13. Основы теории распознавания образов. Общая постановка проблемы. Детерминированные, вероятностные, логические и структурные методы 33
14. Основы нейросетевых технологий. Нейроклетка - разработка формальной модели. Классы нейронных сетей. Методы обучения. 36
15. Базовые конструкции языка программирования Pascal 39
16. Основные типы данных языка программирования Pascal и их производные. 41
17. Описание процедур и функции языка программирования pascal. 43
18. Delphi – cреда разработки приложений для ОС Windows. Компонентная разработка приложений в среде Delphi. 45
19. Разработка мультимедийных приложений в среде Delphi. 48
20. Архитектура ЭВМ. Классическая архитектура ЭВМ и принцип Фон Неймана 49
21. Язык программирования Ассемблер. Базовые элементы. Основные операции над регистрами 52
22. Аппаратные и программные прерывания. Адресное пространство и смещение. 61
23. Аппаратные и программные средства обработки информации 62
24. Понятие об информационных технологиях, принципы организации. Основные задачи системного программирования. 63
25. Информационная емкость. Формула информационной емкости 65
26. Понятие о системах программирования, ее основные функции и компоненты. 66
27. Прикладные инструментальные пакеты для решения математических задач. Обзор пакетов символьных вычислений, обработки статистической информации и графические пакеты. 71
28. Алгебра высказываний как модель алгебры Буля, ее аксиоматическое задание. Принцип двойственности и теорема двойственности. 73
29. Проблема разрешимости (разрешения) для класса однотипных задач. Проблема разрешимости в алгебре высказываний и способы их разрешения. 77
30. Высказывательные формы (предикаты). Способы их задания. Логические операции над предикатами. 78
31. Рекурсивные функции, рекурсивные множества. Тезис Черча. Итерация одноместных функций и доказательная база к ней. 83
32. Система счисления с произвольным основанием. Перевод из одной системы счисления в другую. Операции над числами в системах счисления с произвольным основанием. 86
33. Основные понятия теории кодирования. Оптимальный код Шеннона-Фано 89
34. Понятие о компьютерных сетях. Типы сетей. Топология. Классификация 93
35. Архитектура компьютерных сетей. Семиуровневая модель OSI. Модель TCP/IP 97
36. Адресация в сети Internet. Понятие сокета, как способ программного доступа к сетевым функциям. 99
37. Технология «Клиент-Сервер». Одноранговые и распределенные сети 101
38. Протоколы и службы Internet. 107
39. Метод простой итерации при решении уравнения с одной переменной 116
40. Метод трапеций для численного нахождения определенного интеграла: вывод формулы, оценка погрешности, геометрический смысл 118
41. Методы численного интегрирования дифференциальных уравнений 119
42. Метод наименьших квадратов 119
43. Моделирование как метод познания. Понятие «модель». Виды моделирования в естественных и технических науках. Компьютерная модель. Информационные модели. Объекты и их связи. Основные структуры в информационном моделировании. Примеры информационных моделей. Поля, методы и свойства. Абстрактные, виртуальные, динамические и перегружаемые методы. 120
44. Графическое моделирование. Траектории движения тел и графики функций. Изолинии. Основы трехмерной графики. Преобразования координат. Перенос и повороты в трехмерном пространстве. 126
45. Понятие математического моделирования. Этапы и цели математического моделирования. Различные подходы к классификации математических моделей. Модели с сосредоточенными и распределенными параметрами. Дескриптивные, оптимизационные, многокритериальные, игровые модели 130
46. Имитационные модели и системы. Этапы построения имитационной модели. Анализ и оценка адекватности имитационной модели. Примеры имитационных моделей 134
47. Моделирование стохастических систем. Общие и частные стохастические методы. Моделирование последовательностей независимых и зависимых случайных испытаний. Общий алгоритм моделирования дискретной случайной величины 136
-
Дипломная работа:
Влияние выпаса на флору петрофитных степных опушек на южной границе природного парка «кандры-куль»
77 страниц(ы)
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. АНТРОПОГЕННЫЕ И ПРИРОДНЫЕ УСЛОВИЯ ФОРМИРОВАНИЯ ФЛОРЫ РАЙОНА ИССЛЕДОВАНИЯ
1.1. Общая характеристика Туймазинского административного райна1.2. КлиматРазвернутьСвернуть
1.3. Геология, геоморфология и рельеф
1.4. Гидрология
1.5. Почвообразующие породы и почвы
1.6. Растительность
1.7. Животный мир
ГЛАВА 2. ЭКОЛОГИЧЕСКИЕ ПОСЛЕДСТВИЯ ВЛИЯНИЯ ВЫПАСА НА РАСТИТЕЛЬНОСТЬ
2.1. Влияние выпаса на травяные сообщества
2.2. Влияние выпаса различных видов скота и других фитофагов на растительность
2.3. Особенности пастбищной дигрессии
ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ ВЫПАСА НА ФЛОРУ ПЕТРОФИТНЫХ СТЕПНЫХ ОПУШЕК НА ЮЖНОЙ ГРАНИЦЕ ПРИРОДНОГО ПАРКА «КАНДРЫ-КУЛЬ»
3.1. Методика сбора и обработки материала
3.2. Систематический состав сообществ петрофитной степи
3.3. Спектр жизненных форм сообществ петрофитной степи
3.4. Биогеографическая структура сообществ петрофитной
3.5. Экологический спектр флоры
3.6. Фитосоциологический спектр сообществ петрофитной степи
3.7. Хозяйственная характеристика флоры
3.7.1. Редкие виды растений петрофитных степных опушек, занесенные в «Красную книгу Республики Башкортостан (2011)»
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
ПРИЛОЖЕНИЯ
-
ВКР:
Образ главного героя в повести «таң җиле» ф.садриева
66 страниц(ы)
Ф.Садриевның «Таң җиле» әсәрендә күтәрелгән төп проблемалар …8
Ф.Садриевның «Таң җиле» романында художество чаралары …36Әсәрдә башламның роле .38РазвернутьСвернуть
Портрет характеристикасы … 39
Романда психологик кичерешне бирү ысуллары … 39
Образны эш-хәрәкәте аша анализлау … 45
Образны башка персонажлар белән мөнәсәбәттә ачу … 45
Образны характерлауда һәм әсәрнең эмоциональ тәэсирен көчәйтүдә символларның әһәмияте …49
Әсәрнең сюжет-композициясен оештыруда үзәк образның урыны …56
Йомгак.59
Кулланылган әдәбият исемлеге. 62
-
Дипломная работа:
Урта мәктәптә татар теле дәресләрендә БТРЯ истәлекләрен файдалану
59 страниц(ы)
Кереш.5
Бүлек 1. Борынгы төрки рун язма истәлекләренә күзәтү
§ 1 . Борынгы төрки рун язма истәлекләренөйрәнүнең кыскача тарихы….7РазвернутьСвернуть
§ 2. Борынгы төрки рун язмаларының барлыкка
килү мәсьәләсе.8
§ 3. Борынгы төрки рун язма истәлекләренең тел-стиль үзенчәлекләре.10
Бүлек 2. Идел-Урал буе рун язма истәлекләре
§ 1. Биләр язмасы. .17
§ 2. Измир авылы жирендә табылган орчык башлары.17
§ 3. Урманасты Шинтәлә авылында табылган ядкарьләр.19
§ 4. Сарабиккул язуы.19
§ 5. Лаеш өязендә табылган кылычлар.20
§ 6. Мурзиха язмасы.21
§ 7. Юрино язмасы.21
§ 8. Глазов язмасы.21
§ 9. Бронзадан эшләнгән статуэтка.22
§ 10. Курал язмасы.23
§ 11. Танкеевка язмасы.24
§ 12. Трой-Урий язмасы.25
§ 13. Седьяр язмасы.25
§ 14. Калмаш плитәсе.26
§ 15. Кара Абыз археологик культурасы.27
§ 16. Идел-Урал буе рун язма истәлекләренең тел
үзенчәлек-ләренә кыскача күзәтү.27
Бүлек 3. Урта мәктәптә татар теле дәресләрендә БТРЯ истәлекләрен файдалану
§ 1. Урта мәктәптә татар теле дәресләрендә
өстәмә тел материалларыннан файдалану. .29
§ 2. Урта мәктәптә татар теле дәресләрендә БТРЯ
истәлекләре үрнәкләреннән файдалану
өчен күнегү үрнәкләре.33
Йомгак.38
Файдаланылган әдәбият.40
Кыскартылмалар исемлеге.45
Кушымта.46
-
Контрольная работа:
Организационное поведение и национальный менталитет
29 страниц(ы)
Введение 3
1. Организационное поведение и национальный менталитет 5
1.1 Сущность организационного поведения 51.2 Особенности национального менталитета 7РазвернутьСвернуть
2. Анализ организационного поведения
с учетом межнационального аспекта 11
3. Проблемы национального менталитета и организационного поведения и пути их решения 14
Заключение 25
Список литературы 28
-
Дипломная работа:
Пути формирования у учащихся лексических навыков на французском языке как втором иностранном
85 страниц(ы)
Введение….3
Глава1.Теоретические основы методики обучения второму иностранному языку….6
1.1 Психолингвистические основы методики обучения второму иностранному языку….61.2 Дидактические основы методики обучения второму иностранному языку….15РазвернутьСвернуть
Выводы по первой главе.27
Глава2. Методика формирования лексических навыков на французском языке как втором иностранном….29
2.1 Цели и содержание обучения лексической стороне речи на французском языке как втором иностранном….29
2.2 Технологии формирования лексических навыков на французском языке как на втором иностранном….35
2.3 Пути оптимизации процесса овладения лексическим навыком в курсе второго иностранного языка….47
Выводы по второй главе….…53
Глава3. Апробация методических приемов формирования лексических навыков….54
3.1 Сравнительный анализ УМК по английскому и французскому языкам.54
3.2 Результаты апробации упражнений…60
Выводы по третьей главе….66
Заключение ….68
Список использованной литературы….69